NOR Flash具备随机存储、可靠性强、读取速度快、可执行代码等优异的特性，有望在IoT设备中替代NAND Flash与DRAM。处理器/主芯片可直接从NOR Flash里调用系统代码并运行，可同时满足存储与运行内存的要求，这使得NOR Flash的市场需求逐年增加，预计每年的增长率将超过10%。

显然，物联网及相关AIoT产品（TWS、可穿戴）的爆发式增长，已成为NOR Flash存储器需求增长的主要驱动力。相关数据显示，2020年全球NOR Flash市场规模在30.6亿美元左右，到2022年将进一步增长到37.2亿美元。

从国内的光刻胶市场来看，低端的中g线/i线光刻胶自给率约为20%，KrF光刻胶自给率不足5%，而高端的ArF光刻胶完全依赖进口，是国内半导体的卡脖子技术之一。

虽然南大光电的ArF光刻胶现在通过的是55nm工艺认证，但ArF光刻胶涵盖的工艺技术很广，可用于90nm-14nm甚至7nm 技术节点制造工艺，广泛应用于芯片制造（如逻辑芯片、 存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等）。

Endura® Copper Barrier Seed IMS™的全新材料工程解决方案。这个整合材料解决方案在高真空条件下将ALD、PVD、CVD、铜回流、表面处理、界面工程和计量这七种不同的工艺技术集成到一个系统中。其中，ALD选择性沉积取代了ALD共形沉积，省去了原先的通孔界面处高电阻阻挡层。

解决方案中还采用了铜回流技术，可在窄间隙中实现无空洞的间隙填充。

通过这一解决方案，通孔接触界面的电阻降低了50%，芯片性能和功率得以改善，逻辑微缩也得以继续至3 纳米及以下节点。