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新款热插拔ASFET恒流驱动IC对LED分区进行矩阵式控制

发布时间:2021/11/17 13:06:31 访问次数:118

MOSFET深受Spirito效应的影响,导致SOA性能因在较高电压下的热不稳定性而迅速下降。Nexperia坚固耐用的增强型SOA技术消除了“Spirito-knee”,与前几代D2PAK相比,在50 V时SOA增加了166%。

另一项重要改进是数据手册中添加了125 °C SOA特性。以前只在25 °C时指定SOA,这意味着在高温环境中的操作,设计师必须进行降额。

我们的新款热插拔ASFET包括125 °C SOA规范,消除了该耗时的任务,并证实了Nexperia的器件即使在高温下也具有出色的性能。

电路由一个电容器和一个电阻器组成。一旦电容器放电,电阻两端的电压将为0。一旦电阻两端的电压为0,就不会有电流流过.如果没有电流流过,那么电容器将永远无法充电。

与电阻不同,电感是一种试图防止流过它的电流量发生任何变化的器件。如果电流试图停止流动,电感将施加力以保持电流通过。

在包含电阻的电路中,当电容器完全放电时,电流降为0;如果我们用电感代替电阻,那么当电流试图减小时,电感将施加力以保持电流流动。

Mini-LED 背光TV 因其分区多、画质优、造型薄已成为TV 行业重点预研方向之一。

在使用同等灯珠规格可满足整机亮度的情况下,采用动态扫描方式控制LED 背光源,恒流驱动IC 对LED 分区进行矩阵式控制,可极大减少背光恒流驱动IC 使用数量,降低系统成本,大大提高了产品的竞争力。

目前随着Mini-LED 灯珠成本的下降,以及生产工艺的提升,Mini-LED 作为TV背光源的可量产性也大大提高。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

MOSFET深受Spirito效应的影响,导致SOA性能因在较高电压下的热不稳定性而迅速下降。Nexperia坚固耐用的增强型SOA技术消除了“Spirito-knee”,与前几代D2PAK相比,在50 V时SOA增加了166%。

另一项重要改进是数据手册中添加了125 °C SOA特性。以前只在25 °C时指定SOA,这意味着在高温环境中的操作,设计师必须进行降额。

我们的新款热插拔ASFET包括125 °C SOA规范,消除了该耗时的任务,并证实了Nexperia的器件即使在高温下也具有出色的性能。

电路由一个电容器和一个电阻器组成。一旦电容器放电,电阻两端的电压将为0。一旦电阻两端的电压为0,就不会有电流流过.如果没有电流流过,那么电容器将永远无法充电。

与电阻不同,电感是一种试图防止流过它的电流量发生任何变化的器件。如果电流试图停止流动,电感将施加力以保持电流通过。

在包含电阻的电路中,当电容器完全放电时,电流降为0;如果我们用电感代替电阻,那么当电流试图减小时,电感将施加力以保持电流流动。

Mini-LED 背光TV 因其分区多、画质优、造型薄已成为TV 行业重点预研方向之一。

在使用同等灯珠规格可满足整机亮度的情况下,采用动态扫描方式控制LED 背光源,恒流驱动IC 对LED 分区进行矩阵式控制,可极大减少背光恒流驱动IC 使用数量,降低系统成本,大大提高了产品的竞争力。

目前随着Mini-LED 灯珠成本的下降,以及生产工艺的提升,Mini-LED 作为TV背光源的可量产性也大大提高。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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