PN结反向电流和亚阈值电流高侧充电/放电FET电池保护
发布时间:2021/11/16 22:47:09 访问次数:181
全新IC的高集成度简化了设计周期并显著降低客户系统BOM成本,将设计和BOM选择周期从数月缩短至数周。这些IC还内置自诊断功能,从而提高了其安全功能,减少固件工作量,减轻为满足安全标准所需的设计负担。
芯片电路的功耗主要来自两方面:动态功耗和静态功耗。动态功耗主要是电容的充放电和短路电流。静态功耗主要是漏电流,包括PN结反向电流和亚阈值电流,以及穿透电流。如果工作时序及软件算法设计有缺陷,会降低系统工作效率、延长工作时间,也会直接增加系统能量的消耗。
产品种类: 总线收发器
RoHS: 详细信息
逻辑系列: 74ALVCH
输入电平: LVTTL
输出电平: LVTTL
输出类型: 3-State
高电平输出电流: - 24 mA
低电平输出电流: 24 mA
传播延迟时间: 4.8 ns
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 1.65 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装 / 箱体: SSOP-56
封装: Reel
商标: Texas Instruments
功能: Latched Transceiver
高度: 2.59 mm
长度: 18.41 mm
安装风格: SMD/SMT
通道数量: 16
电路数量: 2
工作电源电压: 1.65 V to 3.6 V
RAA489206的关键特性
16串电芯电压测量
内部(10mA)和外部(200mA)电芯平衡选项
工作电压范围为12-55V,电压测量精度为+/-10mV
最多可减少20cm2电路板面积
低侧电流感应测量
高侧充电/放电FET电池保护

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
全新IC的高集成度简化了设计周期并显著降低客户系统BOM成本,将设计和BOM选择周期从数月缩短至数周。这些IC还内置自诊断功能,从而提高了其安全功能,减少固件工作量,减轻为满足安全标准所需的设计负担。
芯片电路的功耗主要来自两方面:动态功耗和静态功耗。动态功耗主要是电容的充放电和短路电流。静态功耗主要是漏电流,包括PN结反向电流和亚阈值电流,以及穿透电流。如果工作时序及软件算法设计有缺陷,会降低系统工作效率、延长工作时间,也会直接增加系统能量的消耗。
产品种类: 总线收发器
RoHS: 详细信息
逻辑系列: 74ALVCH
输入电平: LVTTL
输出电平: LVTTL
输出类型: 3-State
高电平输出电流: - 24 mA
低电平输出电流: 24 mA
传播延迟时间: 4.8 ns
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 1.65 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装 / 箱体: SSOP-56
封装: Reel
商标: Texas Instruments
功能: Latched Transceiver
高度: 2.59 mm
长度: 18.41 mm
安装风格: SMD/SMT
通道数量: 16
电路数量: 2
工作电源电压: 1.65 V to 3.6 V
RAA489206的关键特性
16串电芯电压测量
内部(10mA)和外部(200mA)电芯平衡选项
工作电压范围为12-55V,电压测量精度为+/-10mV
最多可减少20cm2电路板面积
低侧电流感应测量
高侧充电/放电FET电池保护

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)