电容误差范围是一个规定变容二极管的电容量范围.数据表将显示小值,标称值及值,这些经常绘在图上。

变容二极管又称“可变电抗二极管”。所用材料多为硅或砷化镓单晶，并采用外延工艺技术。反偏电压愈大,则结电容愈小。变容二极管具有与衬底材料电阻率有关的串联电阻。

变容二极管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的.

制造商: Microchip

产品种类: 门驱动器

RoHS: 详细信息

产品: MOSFET Gate Drivers

类型: Low Side

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

激励器数量: 1 Driver

输出端数量: 1 Output

输出电流: 9 A

电源电压-最小: 4.5 V

电源电压-最大: 18 V

配置: Non-Inverting

上升时间: 25 ns

下降时间: 25 ns

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

系列: MIC4422

封装: Tube

商标: Microchip Technology / Micrel

湿度敏感性: Yes

工作电源电流: 450 uA

工作电源电压: 4.5 V to 18 V

产品类型: Gate Drivers

工厂包装数量: 95

子类别: PMIC - Power Management ICs

技术: Si

单位重量: 540 mg

1组高级定时器，可输出 4 通道带互补端口的 PWM，支持死区和刹车

5组32/16-bit 通用定时器

1组 12-bit SAR ADC，支持最高 1MSPS 采样率和 13 路外部通道

1组高速模拟比较器

2.0 – 5.5V 宽压设计，适用于各种电源供电场合

高可靠性： 支持最高 ±6000V HBM ESD，高温 Latch-up 可耐受电流 ±300mA

提供 -40~85°C 和 -40~105°C 环温选项

引脚兼容 MM32F031 和 MM32F0130 系列

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）