InnoSwitch4-CZ系列产品集成了初级和次级控制器和安全反馈,和ClampZero系列组合大大地降低系统和初级开关损耗,从而具有极高的功率密度.

InnoSwitch4-CZ系列还集成了多种保护特性包括输出过流和过压限制,以及超温关断.

同步整流驱动器和次级边的检测,CV/CC精度和外接元件无关,采用外接检测电阻可调整输出电流检测.

效率高达95%,包括线路检测的无负载损耗小于30mW.主要用在高达110W的高密度反激设计,高效率CV/CC电源和高效率USB PD适配器.

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 11 A

Rds On-漏源导通电阻: 478 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V

Qg-栅极电荷: 20 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 63 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: Infineon Technologies

下降时间: 10 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 6 ns

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 48 ns

典型接通延迟时间: 9 ns

零件号别名: IPB65R225C7 SP002447552

单位重量: 324 mg

这可以实现在电池供电设备之间保存和共享电能的新用例，并扩展设备互操作性。Type-C 规范定义的 USB DRP功能允许任何内置意法半导体芯片的USB设备为所连设备的电池充电。

TCPP03-M20采用意法半导体的BCD制造工艺。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）