电源监控的一种常见方法是检测控制回路内的故障方向，以便正确调节电源。让我们使用 DAC53608 10 位 DAC 和 TLV1701 双比较器来说明这个简单的设计。

该设计需要来自每个监控电路的两个触发输出.两个DAC通道独立生成高阈值电压和低阈值电压.电阻器 RA 和 RB 将被监测电压 (V IN )的标称值带入 DAC 的范围内。

此处最好使用开漏比较器，以便在处理电路的输入/输出电压电平处生成触发信号。当衰减输入电压超过 V TH-HI 时，输出 V ALARM-HI变低。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 11.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 280 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V

Qg-栅极电荷: 41 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 104.2 W

通道模式: Enhancement

商标名: CoolMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 7 ns

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 7.5 ns

系列: CoolMOS CFD2

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 45 ns

典型接通延迟时间: 11 ns

宽度: 9.25 mm

零件号别名: SP000745032 IPB65R31CFDXT IPB65R310CFDATMA1

单位重量: 4 g

TCPP01-M12 和 TCPP02-M18 BCD IC是独立的Power Sink和Power Source(供电和受电)解决方案。

像意法半导体的所有 TCPP 产品一样，TCPP03-M20 符合 USB-C PD 规范 3.1 标准功率范围 (SPR) 的最新功能，包括 PPS（可编程电源）。

STM32 Nucleo扩展板X-NUCLEO-DRP1M1和X-CUBE-TCPP STM32Cube扩展软件以及应用代码示例现已上市，有助于加快基于TCPP03-M20 的高达100WDRP 应用项目的开发。

TCPP03-M20现已投产，采用 4mm x 4mm VFQFPN20 封装。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）