与万用表测电阻的大多数方法一样，在使用指针式万用表检测正温度系数热敏电阻好坏情况时，我们需要将万用表调到R×1挡，具体的操作步骤可分两步。

用万用表监测其电阻值是否随温度的升高而增大，如果是，说明热敏电阻正常，若阻值无变化则说明其性能不好，不能继续使用。

将两表笔接触PTC热敏电阻的两引脚测出其实际阻值，并与标称阻值相对比，二者相差在±2Ω内即为正常。实际阻值若与标称阻值相差过大，则说明其性能不良或已损坏。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 114 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 61 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 214 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 4 ns

正向跨导 - 最小值: 46 S

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 4 ns

系列: OptiMOS 5

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

宽度: 9.25 mm

零件号别名: IPB073N15N5 SP001180660

单位重量: 4 g

此时如看到万用示数随温度的升高而改变，这表明电阻值在逐渐改变，当阻值改变到一定数值时显示数据会逐渐稳定，说明热敏电阻正常，若阻值无变化，说明其性能变劣，不能继续使用。

数字基带芯片,可用在HD Radio技术中,该技术以前称作"带内通道"(In Band On Channel (IBOC))。该芯片能处理HD Radio技术中基带的所有过程，它结合TI在数字信号处理和iBiquity数字公司的IBOC数字AM和FM专利技术,使无线电广播设备制造商能把这一新的数字接收技术带到家庭和汽车中的接收器中。

它降低了充电时间，提升了总的充电质量，但输入电压关闭时降低了电池的漏电。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）