DBR的光反馈作用50μA的典型静态电流和200mA电流输出
发布时间:2021/11/15 23:26:24 访问次数:616
VCSEL的结构示意是在由高、低折射率介质材料交替生长成的分布布喇格反射器(DBR之间连续生长单个或多个量子阱有源区所构成。
典型的量子阱数目为3~5个，它们被置于驻波场的ZD处附近，以便获得ZD的受激辐射效率而进入振荡场。在底部还镀有金属层以加强下面DBR的光反馈作用，激光束从顶部透明窗口输出。
要完成低阈值电流工作，和一般的条型半导体激光器一样，必须使用很强的电流收敛结构，同时进行光约束和截流子约束。
产品种类: 电源开关 IC - 配电
RoHS: 详细信息
类型: High Side
输出端数量: 1 Output
输出电流: 13 A
导通电阻—最大值: 16 mOhms
运行时间—最大值: 350 us
空闲时间—最大值: 350 us
工作电源电压: 9 V to 16 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-220-7
系列: High-Current PROFET
资格: AEC-Q100
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: -
产品: Power Switches
产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution
子类别: Switch ICs
电源电压-最大: 30 V
电源电压-最小: 5.5 V
商标名: PROFET
零件号别名: BTS50080-1TMB SP000385910
单位重量: 260.400 mg
如果不需要待机功能，可以禁止器件工作，使典型电源电流降至6μA。
把汽车的13V典型输入电压转化到5V、50mA输出也许不是很困难，因为只有400mW的功耗，在标准SO-8封装能够耗散的最大功率以内。
用于正向DC/DC变换和半桥变换器的40V的六种,用在计算机和同步整流器中的20V的四种和30V四种。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
VCSEL的结构示意是在由高、低折射率介质材料交替生长成的分布布喇格反射器(DBR之间连续生长单个或多个量子阱有源区所构成。
典型的量子阱数目为3~5个，它们被置于驻波场的ZD处附近，以便获得ZD的受激辐射效率而进入振荡场。在底部还镀有金属层以加强下面DBR的光反馈作用，激光束从顶部透明窗口输出。
要完成低阈值电流工作，和一般的条型半导体激光器一样，必须使用很强的电流收敛结构，同时进行光约束和截流子约束。
产品种类: 电源开关 IC - 配电
RoHS: 详细信息
类型: High Side
输出端数量: 1 Output
输出电流: 13 A
导通电阻—最大值: 16 mOhms
运行时间—最大值: 350 us
空闲时间—最大值: 350 us
工作电源电压: 9 V to 16 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-220-7
系列: High-Current PROFET
资格: AEC-Q100
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: -
产品: Power Switches
产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution
子类别: Switch ICs
电源电压-最大: 30 V
电源电压-最小: 5.5 V
商标名: PROFET
零件号别名: BTS50080-1TMB SP000385910
单位重量: 260.400 mg
如果不需要待机功能，可以禁止器件工作，使典型电源电流降至6μA。
把汽车的13V典型输入电压转化到5V、50mA输出也许不是很困难，因为只有400mW的功耗，在标准SO-8封装能够耗散的最大功率以内。
用于正向DC/DC变换和半桥变换器的40V的六种,用在计算机和同步整流器中的20V的四种和30V四种。
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公网安备44030402000607
