0.6umCMOS工艺多个波束成形器IC进行同步和异步控制
发布时间:2021/11/11 13:10:48 访问次数:414
1M位MRAM存储器能消除电子设备中共同问题，如计算机和手机的上电慢，数据遗失，装载数据长时间等待，电池寿命短等。MRAM设计成允许所有的程序和数据保持在局部的存储器，即使在电源关断时。它也能期望消除手机开机时的延时。
用一个晶体管(1T)和一个磁隧道结(MTJ)组成的1M位MRAM，其读写周期小于50ns。
64K位X16位存储器的设计是根据0.6umCMOS工艺，在200mm衬底用铜互连来制造。在铜互连导线上的磁性材料覆层结构能减少写入程序所需功率四倍。
ArraySense技术具有全面的片上传感器网络，能够让用户在阵列工作时监测IC性能，并能实时做出关键修正。RapidBeam先进的数字控制技术可以同时针对多个波束成形器IC进行同步和异步控制，实现超快速波束控制操作。
裸片封装工艺允许在电路板上做更为有效的热管理，可以从IC背面改善散热。
此外,瑞萨设计的封装引脚简化了电路板设计,降低了设计难度和风险。较低复杂度的PCB设计会采用尽可能少的板层数,这不但可以节省电路板成本，也可加快产品上市速度。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
1M位MRAM存储器能消除电子设备中共同问题，如计算机和手机的上电慢，数据遗失，装载数据长时间等待，电池寿命短等。MRAM设计成允许所有的程序和数据保持在局部的存储器，即使在电源关断时。它也能期望消除手机开机时的延时。
用一个晶体管(1T)和一个磁隧道结(MTJ)组成的1M位MRAM，其读写周期小于50ns。
64K位X16位存储器的设计是根据0.6umCMOS工艺，在200mm衬底用铜互连来制造。在铜互连导线上的磁性材料覆层结构能减少写入程序所需功率四倍。
ArraySense技术具有全面的片上传感器网络，能够让用户在阵列工作时监测IC性能，并能实时做出关键修正。RapidBeam先进的数字控制技术可以同时针对多个波束成形器IC进行同步和异步控制，实现超快速波束控制操作。
裸片封装工艺允许在电路板上做更为有效的热管理，可以从IC背面改善散热。
此外,瑞萨设计的封装引脚简化了电路板设计,降低了设计难度和风险。较低复杂度的PCB设计会采用尽可能少的板层数,这不但可以节省电路板成本，也可加快产品上市速度。
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