TSMC的0.13微米标准逻辑工艺制造无忧固定IHPT器件
发布时间:2021/11/9 13:29:39 访问次数:256
IHPT-1411AF-AB0骨架和核心组件结构简单，便于设计人员调整弹簧和外壳布局，外壳与显示器固件连为一体，无需额外的外壳，从而使其成本、元件高度和力密度在同类技术中处于先进水平，包括线性谐振、线性宽带、偏心旋转质量和压电执行器。此外，Vishay 还可提供无忧固定IHPT器件，包括回位弹簧和安装孔，便于在客户应用中快速安装。
日前发布的器件在12 V、5 ms脉冲条件下，可驱动0.5 kg负载达到6 g加速度；同类技术只能驱动0.1 kg到0.2 kg负载达到这一水平。驱动线圈电感为1.8 mH，典型直流电阻（DCR）为0.95 W，线圈与磁芯之间绝缘耐压150 VDC。
Virage Logic的多端口寄存器文件嵌入式存储器，通过在同一存储器中不同位置的同时存取，能增加处理数据或管线中的指令或并行处理器的速度。
Virage的可重置嵌入式存储器能优化成整个结构中的读写端口那样的大小。存储器还有用户控制的选择功能，它允许在同一时钟周期，用时钟的两个边缘在同样的地址进行读和写操作，从而数据速率双倍(DDR)。
ASAP高速多端口寄存器文件嵌入式存储器用台湾TSMC的0.13微米标准逻辑工艺来制造.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
IHPT-1411AF-AB0骨架和核心组件结构简单，便于设计人员调整弹簧和外壳布局，外壳与显示器固件连为一体，无需额外的外壳，从而使其成本、元件高度和力密度在同类技术中处于先进水平，包括线性谐振、线性宽带、偏心旋转质量和压电执行器。此外，Vishay 还可提供无忧固定IHPT器件，包括回位弹簧和安装孔，便于在客户应用中快速安装。
日前发布的器件在12 V、5 ms脉冲条件下，可驱动0.5 kg负载达到6 g加速度；同类技术只能驱动0.1 kg到0.2 kg负载达到这一水平。驱动线圈电感为1.8 mH，典型直流电阻（DCR）为0.95 W，线圈与磁芯之间绝缘耐压150 VDC。
Virage Logic的多端口寄存器文件嵌入式存储器，通过在同一存储器中不同位置的同时存取，能增加处理数据或管线中的指令或并行处理器的速度。
Virage的可重置嵌入式存储器能优化成整个结构中的读写端口那样的大小。存储器还有用户控制的选择功能，它允许在同一时钟周期，用时钟的两个边缘在同样的地址进行读和写操作，从而数据速率双倍(DDR)。
ASAP高速多端口寄存器文件嵌入式存储器用台湾TSMC的0.13微米标准逻辑工艺来制造.
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