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内置MOS管的同步升压芯片A/D转换器通道数量从64增加到128

发布时间:2021/11/8 19:20:58 访问次数:224

70W以上的DC-DC升压电路,由于专用升压芯片封装散热的局限性,导致内部开关管的功率受到限制,很难做到集成MOS开关管的大功率升压转换IC。

尤其内置MOS管的同步升压芯片在大功率应用更是如此。

大功率的DC-DC升压应用需求,推广一款集成15A开关管的26.8V、120W输出、大电流非同步DC-DC升压IC-HT7179。HT7179采用独到的电路研发技术以及先进的半导体工艺,重载时高达93%以上的工作效率,无需外加散热器,升压到26.8V,可稳定输出120W。

制造商:onsemi产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-92-3晶体管极性:NPN配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:160 V集电极—基极电压 VCBO:180 V发射极 - 基极电压 VEBO:6 V集电极—射极饱和电压:0.2 V最大直流电集电极电流:0.6 APd-功率耗散:625 mW增益带宽产品fT:300 MHz最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:2N5551封装:Bulk商标:onsemi / Fairchild集电极连续电流:0.6 A直流集电极/Base Gain hfe Min:80直流电流增益 hFE 最大值:250高度:4.7 mm长度:4.7 mm产品类型:BJTs - Bipolar Transistors工厂包装数量:10000子类别:Transistors技术:Si宽度:3.93 mm零件号别名:2N5551BU_NL单位重量:200 mg

与前一代AS5950相比,新一代产品主要是提高了相同探测器覆盖范围的空间分辨率。亚毫米级等方性像素间距可提高图像的分辨率。

AS5951的光电二极管阵列由间距为0.98 x 0.98 mm2的16 x 8像素组成,与前代产品的0.98 x 1.96 mm2间距相比实现了改进。

为满足更高像素密度要求,A/D转换器(ADC)的通道数量从64增加到128。像素尺寸可在较短的开发周期内完成定制,以满足客户的需求。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

70W以上的DC-DC升压电路,由于专用升压芯片封装散热的局限性,导致内部开关管的功率受到限制,很难做到集成MOS开关管的大功率升压转换IC。

尤其内置MOS管的同步升压芯片在大功率应用更是如此。

大功率的DC-DC升压应用需求,推广一款集成15A开关管的26.8V、120W输出、大电流非同步DC-DC升压IC-HT7179。HT7179采用独到的电路研发技术以及先进的半导体工艺,重载时高达93%以上的工作效率,无需外加散热器,升压到26.8V,可稳定输出120W。

制造商:onsemi产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-92-3晶体管极性:NPN配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:160 V集电极—基极电压 VCBO:180 V发射极 - 基极电压 VEBO:6 V集电极—射极饱和电压:0.2 V最大直流电集电极电流:0.6 APd-功率耗散:625 mW增益带宽产品fT:300 MHz最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:2N5551封装:Bulk商标:onsemi / Fairchild集电极连续电流:0.6 A直流集电极/Base Gain hfe Min:80直流电流增益 hFE 最大值:250高度:4.7 mm长度:4.7 mm产品类型:BJTs - Bipolar Transistors工厂包装数量:10000子类别:Transistors技术:Si宽度:3.93 mm零件号别名:2N5551BU_NL单位重量:200 mg

与前一代AS5950相比,新一代产品主要是提高了相同探测器覆盖范围的空间分辨率。亚毫米级等方性像素间距可提高图像的分辨率。

AS5951的光电二极管阵列由间距为0.98 x 0.98 mm2的16 x 8像素组成,与前代产品的0.98 x 1.96 mm2间距相比实现了改进。

为满足更高像素密度要求,A/D转换器(ADC)的通道数量从64增加到128。像素尺寸可在较短的开发周期内完成定制,以满足客户的需求。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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