内置MOS管的同步升压芯片A/D转换器通道数量从64增加到128
发布时间:2021/11/8 19:20:58 访问次数:224
70W以上的DC-DC升压电路,由于专用升压芯片封装散热的局限性,导致内部开关管的功率受到限制,很难做到集成MOS开关管的大功率升压转换IC。
尤其内置MOS管的同步升压芯片在大功率应用更是如此。
大功率的DC-DC升压应用需求,推广一款集成15A开关管的26.8V、120W输出、大电流非同步DC-DC升压IC-HT7179。HT7179采用独到的电路研发技术以及先进的半导体工艺,重载时高达93%以上的工作效率,无需外加散热器,升压到26.8V,可稳定输出120W。
与前一代AS5950相比,新一代产品主要是提高了相同探测器覆盖范围的空间分辨率。亚毫米级等方性像素间距可提高图像的分辨率。
AS5951的光电二极管阵列由间距为0.98 x 0.98 mm2的16 x 8像素组成,与前代产品的0.98 x 1.96 mm2间距相比实现了改进。
为满足更高像素密度要求,A/D转换器(ADC)的通道数量从64增加到128。像素尺寸可在较短的开发周期内完成定制,以满足客户的需求。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
70W以上的DC-DC升压电路,由于专用升压芯片封装散热的局限性,导致内部开关管的功率受到限制,很难做到集成MOS开关管的大功率升压转换IC。
尤其内置MOS管的同步升压芯片在大功率应用更是如此。
大功率的DC-DC升压应用需求,推广一款集成15A开关管的26.8V、120W输出、大电流非同步DC-DC升压IC-HT7179。HT7179采用独到的电路研发技术以及先进的半导体工艺,重载时高达93%以上的工作效率,无需外加散热器,升压到26.8V,可稳定输出120W。
与前一代AS5950相比,新一代产品主要是提高了相同探测器覆盖范围的空间分辨率。亚毫米级等方性像素间距可提高图像的分辨率。
AS5951的光电二极管阵列由间距为0.98 x 0.98 mm2的16 x 8像素组成,与前代产品的0.98 x 1.96 mm2间距相比实现了改进。
为满足更高像素密度要求,A/D转换器(ADC)的通道数量从64增加到128。像素尺寸可在较短的开发周期内完成定制,以满足客户的需求。
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