轻负载满效率连接到两条APB总线的各类增强型I/O和外设资源
发布时间:2021/11/8 0:16:26 访问次数:772
GD32L233系列MCU的最高主频为64MHz，集成了64KB到256KB的嵌入式eFlash和16KB到32KB的SRAM，以及连接到两条APB总线的各类增强型I/O和外设资源。
芯片持续采用行业领先的Arm® Cortex®-M23内核,通过精简强大的Armv8-M指令集和全面优化的总线设计带来高效处理能力,包含独立的乘法器和除法器,适用于低功耗、高效节能的深度嵌入式应用场景。
GD32L233系列MCU实现了优异的功耗效率，深度睡眠(Deep-sleep)电流降至2uA，唤醒时间低于10uS，待机(Standby)电流最低仅有0.4uA。
无负载时的静态电流为60uA，关断模式低于1uA。
对于轻负载满效率，LTC3411工作在可选择的触发模式。在噪音敏感应用中，同步/模式引脚能用来形成跳跃脉冲或强迫进入连续工作模式，以减少噪音和射频(RF)干扰。
RAA223021超低待机功率通用的输入 AC/DC 开关降压稳压器,集成了700V MOSFET,能够在降压模式下提供高达 8W 的输出功率,可在反激模式下提供高达 12W 的输出功率.器件支持低至 3.3V 的输出电压,无需额外的 LDO.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
GD32L233系列MCU的最高主频为64MHz，集成了64KB到256KB的嵌入式eFlash和16KB到32KB的SRAM，以及连接到两条APB总线的各类增强型I/O和外设资源。
芯片持续采用行业领先的Arm® Cortex®-M23内核,通过精简强大的Armv8-M指令集和全面优化的总线设计带来高效处理能力,包含独立的乘法器和除法器,适用于低功耗、高效节能的深度嵌入式应用场景。
GD32L233系列MCU实现了优异的功耗效率，深度睡眠(Deep-sleep)电流降至2uA，唤醒时间低于10uS，待机(Standby)电流最低仅有0.4uA。
无负载时的静态电流为60uA，关断模式低于1uA。
对于轻负载满效率，LTC3411工作在可选择的触发模式。在噪音敏感应用中，同步/模式引脚能用来形成跳跃脉冲或强迫进入连续工作模式，以减少噪音和射频(RF)干扰。
RAA223021超低待机功率通用的输入 AC/DC 开关降压稳压器,集成了700V MOSFET,能够在降压模式下提供高达 8W 的输出功率,可在反激模式下提供高达 12W 的输出功率.器件支持低至 3.3V 的输出电压,无需额外的 LDO.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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