超级电容混合层电容器(HLC)以PWM斜率优化控制回路性能
发布时间:2021/11/7 14:54:43 访问次数:113
TPS61094 降压/升压转换器内部集成了降压型超级电容充电器和升压型DC-DC转换器，同时提供超低静态电流，TPS61094搭配超级电容的方案与目前的混合层电容器 (HLC) 方案相比，该方案可帮助工程师将电池寿命延长多达20%。
TPS61094 降压/升压转换器内部集成了降压型超级电容充电器和升压型DC-DC转换器，同时提供超低静态电流，TPS61094搭配超级电容的方案与目前的混合层电容器 (HLC) 方案相比，该方案可帮助工程师将电池寿命延长多达20%。
制造商:NXP产品种类:ARM微控制器 - MCURoHS: 详细信息系列:S32K1xx安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LQFP-100核心:ARM Cortex M4F程序存储器大小:512 kB数据总线宽度:32 bitADC分辨率:12 bit最大时钟频率:112 MHz输入/输出端数量:89 I/O数据 RAM 大小:64 kB工作电源电压:2.7 V to 5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C资格:AEC-Q100封装:Tray模拟电源电压:2.7 V to 3 V商标:NXP SemiconductorsDAC分辨率:8 bit数据 Ram 类型:SRAM数据 ROM 大小:4 kB数据 Rom 类型:EEPROMI/O 电压:3.3 V接口类型:I2C, I2S, LIN, PWM, SPI, UART湿度敏感性:YesADC通道数量:16 Channel计时器/计数器数量:4 Timer产品:MCU+DSP+FPU产品类型:ARM Microcontrollers - MCU程序存储器类型:Flash工厂包装数量:450子类别:Microcontrollers - MCU电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.7 V看门狗计时器:Watchdog Timer 单位重量:685.200 mg
器件集成了25-mΩ和6.5-mΩ MOSFET,输入电压范围4V到18V,输出电压0.5V到5.5V,三种可选择PWM斜率,以优化控制回路性能,五种可选择的开关频率:500 kHz,750 kHz, 1 MHz, 1.5 MHz和2.2 MHz.整个温度范围内的确基准电压精度为0.5-V, ±0.5%.
可选择的软起动时间为0.5 ms, 1 ms, 2 ms和4 ms.可选择限流以支持6A和3A工作,提供输出过压保护,输出欠压保护,输入欠压保护,过流保护和超温保护.引脚和TPS543820和TPS543320兼容,结工作温度–40C到150C,采用2.5-mm × 3-mm 14引脚VQFN-HR封装,0.5-mm间距.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
TPS61094 降压/升压转换器内部集成了降压型超级电容充电器和升压型DC-DC转换器，同时提供超低静态电流，TPS61094搭配超级电容的方案与目前的混合层电容器 (HLC) 方案相比，该方案可帮助工程师将电池寿命延长多达20%。
TPS61094 降压/升压转换器内部集成了降压型超级电容充电器和升压型DC-DC转换器，同时提供超低静态电流，TPS61094搭配超级电容的方案与目前的混合层电容器 (HLC) 方案相比，该方案可帮助工程师将电池寿命延长多达20%。
制造商:NXP产品种类:ARM微控制器 - MCURoHS: 详细信息系列:S32K1xx安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LQFP-100核心:ARM Cortex M4F程序存储器大小:512 kB数据总线宽度:32 bitADC分辨率:12 bit最大时钟频率:112 MHz输入/输出端数量:89 I/O数据 RAM 大小:64 kB工作电源电压:2.7 V to 5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C资格:AEC-Q100封装:Tray模拟电源电压:2.7 V to 3 V商标:NXP SemiconductorsDAC分辨率:8 bit数据 Ram 类型:SRAM数据 ROM 大小:4 kB数据 Rom 类型:EEPROMI/O 电压:3.3 V接口类型:I2C, I2S, LIN, PWM, SPI, UART湿度敏感性:YesADC通道数量:16 Channel计时器/计数器数量:4 Timer产品:MCU+DSP+FPU产品类型:ARM Microcontrollers - MCU程序存储器类型:Flash工厂包装数量:450子类别:Microcontrollers - MCU电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.7 V看门狗计时器:Watchdog Timer 单位重量:685.200 mg
器件集成了25-mΩ和6.5-mΩ MOSFET,输入电压范围4V到18V,输出电压0.5V到5.5V,三种可选择PWM斜率,以优化控制回路性能,五种可选择的开关频率:500 kHz,750 kHz, 1 MHz, 1.5 MHz和2.2 MHz.整个温度范围内的确基准电压精度为0.5-V, ±0.5%.
可选择的软起动时间为0.5 ms, 1 ms, 2 ms和4 ms.可选择限流以支持6A和3A工作,提供输出过压保护,输出欠压保护,输入欠压保护,过流保护和超温保护.引脚和TPS543820和TPS543320兼容,结工作温度–40C到150C,采用2.5-mm × 3-mm 14引脚VQFN-HR封装,0.5-mm间距.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-8集成SOC 驱动芯片 GD30DRE508 系列
- 5-8ARM Cortex-M7 600MHz 内核GD3
- 5-8存储、MCU 及模拟芯片应用前景分析
- 5-8高倍率磷酸铁锂电池技术发展趋势
- 5-8模块化多电平架构（MMC）应用参数配置
- 5-8构网型变流器核心技术及应用探究
- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
公网安备44030402000607
