区块移动控制器(BMC)用于模拟LED设置/控制基底强度
发布时间:2021/11/7 14:42:55 访问次数:121
另一个提高性能的特点是，区块移动控制器(BMC)和相关的区块移动指令。
LX5380采用0.13微米工艺技术生产。在典型的0.13微米ASIC工艺中，不带存储器时，基线外形在硅片中占1.9mm2，而用典型的半导体工艺参数，即使最差的工艺，最差的商业运作，也能达到420MHz的带宽。基本配置内核的功耗在最差情况下为0.2-mW/MHz。
制造商:Cypress Semiconductor 产品种类:F-RAM 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-28 存储容量:64 kbit 接口类型:Parallel 组织:8 k x 8 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:5.5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube 访问时间:70 ns 商标:Cypress Semiconductor 湿度敏感性:Yes 工作电源电压:3.3 V 产品类型:FRAM 工厂包装数量:270 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:2.215 g
多拓扑远光/近光切换,无需第二个LED驱动器IC,独特的转换控制（slew-control）功能,可最大限度地减少在远光灯和近光之间转换时LED 电流过冲和下冲（undershoot）.
两种配置选项,其中之一是工厂编程 EEPROM,从而无需本地微控制器,另一种则为用于实现软件控制的控制和状态寄存器SPI 接口,针对ASIL的广泛诊断功能,具有两个可编程故障引脚,并可通过 SPI 报告.
多种方法用于模拟LED设置/控制基底强度,通过负温度系数(NTC)实现过热保护(thermal foldback),或同一设计使用不同LED.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
另一个提高性能的特点是，区块移动控制器(BMC)和相关的区块移动指令。
LX5380采用0.13微米工艺技术生产。在典型的0.13微米ASIC工艺中，不带存储器时，基线外形在硅片中占1.9mm2，而用典型的半导体工艺参数，即使最差的工艺，最差的商业运作，也能达到420MHz的带宽。基本配置内核的功耗在最差情况下为0.2-mW/MHz。
制造商:Cypress Semiconductor 产品种类:F-RAM 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-28 存储容量:64 kbit 接口类型:Parallel 组织:8 k x 8 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:5.5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube 访问时间:70 ns 商标:Cypress Semiconductor 湿度敏感性:Yes 工作电源电压:3.3 V 产品类型:FRAM 工厂包装数量:270 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:2.215 g
多拓扑远光/近光切换,无需第二个LED驱动器IC,独特的转换控制（slew-control）功能,可最大限度地减少在远光灯和近光之间转换时LED 电流过冲和下冲（undershoot）.
两种配置选项,其中之一是工厂编程 EEPROM,从而无需本地微控制器,另一种则为用于实现软件控制的控制和状态寄存器SPI 接口,针对ASIL的广泛诊断功能,具有两个可编程故障引脚,并可通过 SPI 报告.
多种方法用于模拟LED设置/控制基底强度,通过负温度系数(NTC)实现过热保护(thermal foldback),或同一设计使用不同LED.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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