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敏感型CT探测器的32层探测器及基于芯片结温的热关断(TSD)

发布时间:2021/11/6 21:46:02 访问次数:945

将128通道ADC以单芯片方式集成至单个器件中,而不是作为分立式器件置于光电二极管阵列旁。这可以简化设计,降低CT探测器供应商的制造成本。

两个AS5951 IC可放置在Z轴,有助于开发适用于价格敏感型CT探测器的32层探测器。提供内部参考电压,因此无需使用外部元器件,降低了材料成本。

集成温度传感器可监控芯片温度。利用AS5951,客户可获得一种现成的传感器芯片解决方案,简化了系统与探测器的集成。

制造商:Littelfuse 产品种类:自恢复保险丝—PPTC 端接类型:SMD/SMT 保持电流:3 A 最大电压:15 V 跳闸电流:5 A 额定电流—最大值:40 A 电阻:48 mOhms 封装 / 箱体:2920 (7351 metric) 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Littelfuse 高度:1.25 mm 长度:6.73 mm 湿度敏感性:Yes 安装风格:PCB Mount Pd-功率耗散:1.5 W 产品类型:Resettable Fuses - PPTC 工厂包装数量1500 子类别:PPTC Resettable Fuses 类型:PolyFuse Resettable PTC 宽度:4.8 mm 单位重量:190 mg

电路还稳定驱动器的偏压轨,因此在各种工作条件下,保护了潜在的栅-源过压.

NCP51820提供重要的保护功能如单独的欠压锁住(UVLO),监测VDD偏压和VDDH和VDDL驱动器偏压以及基于芯片结温的热关断(TSD).可编的死区时间控制能防止交叉导通.

MASTERGAN4是先进功率系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管.集成的功率GaN有650V漏极-源极阻断电压,RDS(ON) 为225 mΩ.而高边嵌入栅极驱动器能很容易由集成的阴极负载二极管供电.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

将128通道ADC以单芯片方式集成至单个器件中,而不是作为分立式器件置于光电二极管阵列旁。这可以简化设计,降低CT探测器供应商的制造成本。

两个AS5951 IC可放置在Z轴,有助于开发适用于价格敏感型CT探测器的32层探测器。提供内部参考电压,因此无需使用外部元器件,降低了材料成本。

集成温度传感器可监控芯片温度。利用AS5951,客户可获得一种现成的传感器芯片解决方案,简化了系统与探测器的集成。

制造商:Littelfuse 产品种类:自恢复保险丝—PPTC 端接类型:SMD/SMT 保持电流:3 A 最大电压:15 V 跳闸电流:5 A 额定电流—最大值:40 A 电阻:48 mOhms 封装 / 箱体:2920 (7351 metric) 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Littelfuse 高度:1.25 mm 长度:6.73 mm 湿度敏感性:Yes 安装风格:PCB Mount Pd-功率耗散:1.5 W 产品类型:Resettable Fuses - PPTC 工厂包装数量1500 子类别:PPTC Resettable Fuses 类型:PolyFuse Resettable PTC 宽度:4.8 mm 单位重量:190 mg

电路还稳定驱动器的偏压轨,因此在各种工作条件下,保护了潜在的栅-源过压.

NCP51820提供重要的保护功能如单独的欠压锁住(UVLO),监测VDD偏压和VDDH和VDDL驱动器偏压以及基于芯片结温的热关断(TSD).可编的死区时间控制能防止交叉导通.

MASTERGAN4是先进功率系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管.集成的功率GaN有650V漏极-源极阻断电压,RDS(ON) 为225 mΩ.而高边嵌入栅极驱动器能很容易由集成的阴极负载二极管供电.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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