双导光板与零隙微透镜最大限度地提高进入像素感光区的光线耦合度，以实现低光下的良好信噪比。

导光板和微透镜还能实现一个很宽的角响应,更接近于背照式像素，尽管Topaz采用正面照明技术.这些"像素内"光学元件也减少了像素与像素之间的串扰，从而提供清晰图像。

针对图像质量的进一步讨论需要重点关注暗信号及其对固定模式噪声（FPN）的影响，尤其是在高温环境下。高暗信号不均匀性（DSNU）往往会导致图像中出现更多可见的VFPN/HFPN，即使利用了补偿技术。Topaz传感器具备的两个特性确保高温下图像质量的优越性。

制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:3.16 A Rds On-漏源导通电阻:47 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:3 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:750 mW 通道模式:Enhancement 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Vishay Semiconductors 配置:Single 下降时间:6 ns 正向跨导 - 最小值:7 S 高度:1.45 mm 长度:2.9 mm 产品类型:MOSFET 上升时间:12 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 N-Channel 典型关闭延迟时间:14 ns 典型接通延迟时间:7 ns 宽度:1.6 mm 零件号别名:SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-E3 单位重量:8 mg

RA6M5是高性能200MHz 基于Arm® Cortex®-M33 内核的微控制器,集成了多达2MB代码闪存,8KB数据闪存和带极性/ECC的512KB SRAM.

高度集成的以太网MAC控制器,可确保高数据吞吐率,USB 2.0高速,CAN FD,SDHI,Quad和Octa SPI以及先进的模拟电路.

还集成了安全加密引擎和加密加速器,支持密钥管理技术,篡改检测和功率分析电阻,支持TrustZone®.与片内的安全加密引擎(SCE)配合使用,可实现安全芯片的功能.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）