低电容Centurion生产技术有优异EMI滤波性能和高性能ESD保护
发布时间:2021/11/3 21:07:00 访问次数:114
闩锁可以定义为因触发寄生器件而在供电轨之间构建出低阻 抗路径。
闩锁发生CMOS器件中:本征寄生器件构成PNPN SCR结构,当两个寄生基极-发射极之一瞬态发生正向偏置时 就发生闩锁.
而SCR导通则导致电源之间持续短路。 触发闩锁状况的后果非常严重:在“Z好”情况下,它会导致器件出现故障,需要上电周期来将器件恢复到正常工作模式; 在Z差情况下,如果电流未受到限制,器件(还有电源)会受到破坏。
CSPEMI608的特性归纳有:
低电容Centurion生产技术有优异的EMI滤波性能和高性能的ESD保护,
用于高速数据线的8通路有ESD保护功能的EMI滤波,
1GHz时衰减大于30dB,抑制不必要的高频信号,
3GHz时的衰减大于40dB,
±15kV ESD保护,满足IEC61000-4-2 Level 4,
比用分立元件实现的节省面积89%.
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
闩锁可以定义为因触发寄生器件而在供电轨之间构建出低阻 抗路径。
闩锁发生CMOS器件中:本征寄生器件构成PNPN SCR结构,当两个寄生基极-发射极之一瞬态发生正向偏置时 就发生闩锁.
而SCR导通则导致电源之间持续短路。 触发闩锁状况的后果非常严重:在“Z好”情况下,它会导致器件出现故障,需要上电周期来将器件恢复到正常工作模式; 在Z差情况下,如果电流未受到限制,器件(还有电源)会受到破坏。
CSPEMI608的特性归纳有:
低电容Centurion生产技术有优异的EMI滤波性能和高性能的ESD保护,
用于高速数据线的8通路有ESD保护功能的EMI滤波,
1GHz时衰减大于30dB,抑制不必要的高频信号,
3GHz时的衰减大于40dB,
±15kV ESD保护,满足IEC61000-4-2 Level 4,
比用分立元件实现的节省面积89%.
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