结晶体管改进多个关键参数，最大限度减少系统功率损耗，特别适合基于反激式拓扑的照明应用，例如， LED 驱动器、HID 灯，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。

二次保护IC bq29400,它集成了高度精确的独立的过压检测电路.由于有二次电压保护器,多颗电池的电池盒中的每个电池可和内部基准电压相比较.

如果其中的一颗电池到了过压状态,bq29400将会等待可编程的周期,设定一个输出去驱动外接FET,把化学保险丝烧断,进一步保护系统.

制造商:onsemi产品种类:MOSFETRoHS: 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SSOT-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:2 ARds On-漏源导通电阻:63 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-栅极电荷:9 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:500 mW通道模式:Enhancement商标名:封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:onsemi / Fairchild配置:Single下降时间:13 ns正向跨导 - 最小值:5 S高度:1.12 mm长度:2.9 mm产品:MOSFET Small Signal产品类型:MOSFET上升时间:13 ns系列:3000子类别:MOSFETs晶体管类型:1 P-Channel类型:MOSFET典型关闭延迟时间:11 ns典型接通延迟时间:6 ns宽度:1.4 mm零件号别名:FDN360P_NL单位重量:30 mg

2,3或4节电池保护控制,

能对电池主管理提供单颗电池电压和电池盒电压,

集成了电池平衡驱动,

用于在充电和放电时过载和短路的阈值和延时可编程,

系统告警中断输出,

主控制器能初始睡眠模式和工作模式,

低工作电流,典型值为60uA.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）