新的18Mb四倍数据速率实现基于LIN的三线制水泵
发布时间:2021/11/2 13:28:25 访问次数:492
新的18Mb四倍数据速率/双数据速率(QDR/DDR) SRAM CY7C1313V18和 CY7C1305V25,能增加系统的带宽和加速读/写功能,可用在各种专注于数据的应用,包括网络交换和路由器,光通道,ISCSI存储交换和主总线适配器,低成本服务器和半导体测试设备.
该公司准备在2004年初推出36Mb和72Mb产品系列.
QDR的合作开发小组由Cypress, IDT, NEC, Renesas, Samsung和以前的Micron公司组成,共同制成QDR,QDR-II,DDR和DDR-II SRAM结构的指标,并且提供引脚兼容的产品给用户.
产品种类: 电源开关 IC - 配电
RoHS: 详细信息
类型: High Side
输出端数量: 1 Output
输出电流: 9.5 A
电流限制: 37.5 A
导通电阻—最大值: 7 mOhms
运行时间—最大值: 550 us
空闲时间—最大值: 600 us
工作电源电压: 5.5 V to 30 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-220-7
系列: High-Current PROFET
资格: AEC-Q100
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: -
产品: Power Switches
产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution
工厂包装数量: 50
子类别: Switch ICs
电源电压-最大: 30 V
电源电压-最小: 5.5 V
商标名: PROFET
零件号别名: BTS50080-1TMB SP000385910
单位重量: 260.400 mg
这使得以前由于带宽的限制而不能支持的开关技术,现在也可能用这一低成本高性能的开关。
它的主要性能和特性有:带宽/数据频率大于500MHz,差分4 或通道,2:1复接/分路开关,VCC工作电压3.0V-3.6V,支持多种高速差分信号协议。
新的18Mb四倍数据速率/双数据速率(QDR/DDR) SRAM CY7C1313V18和 CY7C1305V25,能增加系统的带宽和加速读/写功能,可用在各种专注于数据的应用,包括网络交换和路由器,光通道,ISCSI存储交换和主总线适配器,低成本服务器和半导体测试设备.
该公司准备在2004年初推出36Mb和72Mb产品系列.
QDR的合作开发小组由Cypress, IDT, NEC, Renesas, Samsung和以前的Micron公司组成,共同制成QDR,QDR-II,DDR和DDR-II SRAM结构的指标,并且提供引脚兼容的产品给用户.
产品种类: 电源开关 IC - 配电
RoHS: 详细信息
类型: High Side
输出端数量: 1 Output
输出电流: 9.5 A
电流限制: 37.5 A
导通电阻—最大值: 7 mOhms
运行时间—最大值: 550 us
空闲时间—最大值: 600 us
工作电源电压: 5.5 V to 30 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-220-7
系列: High-Current PROFET
资格: AEC-Q100
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: -
产品: Power Switches
产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution
工厂包装数量: 50
子类别: Switch ICs
电源电压-最大: 30 V
电源电压-最小: 5.5 V
商标名: PROFET
零件号别名: BTS50080-1TMB SP000385910
单位重量: 260.400 mg
这使得以前由于带宽的限制而不能支持的开关技术,现在也可能用这一低成本高性能的开关。
它的主要性能和特性有:带宽/数据频率大于500MHz,差分4 或通道,2:1复接/分路开关,VCC工作电压3.0V-3.6V,支持多种高速差分信号协议。