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Armv8-M指令集和全面优化的总线设计带来高效处理能力

发布时间:2021/11/2 12:37:48 访问次数:123

GD32L233系列MCU的最高主频为64MHz,集成了64KB到256KB的嵌入式eFlash和16KB到32KB的SRAM,以及连接到两条APB总线的各类增强型I/O和外设资源。

芯片持续采用行业领先的Arm® Cortex®-M23内核,通过精简强大的Armv8-M指令集和全面优化的总线设计带来高效处理能力,包含独立的乘法器和除法器,适用于低功耗,高效节能的深度嵌入式应用场景。

GD32L233系列MCU实现了优异的功耗效率,深度睡眠(Deep-sleep)电流降至2uA,唤醒时间低于10uS,待机(Standby)电流最低仅有0.4uA。

制造商:Texas Instruments产品种类:接口-信号缓冲器、中继器RoHS: 最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装 / 箱体:WQFN-38封装:Reel封装:Cut Tape商标:Texas Instruments湿度敏感性:Yes产品类型:Signal Buffers, Repeaters系列:3000子类别:Interface ICs单位重量:67 mg

所减少的元件数和器件内部的故障保险特性增加了整体可靠性.单芯片MCU系列不需要昂贵的用户多片AFE.作为基于闪存的MCU系统,同样的硬件可用在许多平台,其特性或国家间特有的改变仅用软件来实现.因为闪存是在系统可编程,能遥控电表升级.

为了提供最大可能的性能和简化系统设计,器件集成了嵌入信号处理器(ESP),很适合用作单相电表,加上以下的功能,可实现能量度量衡的功能:三个独立的工作在过取样1MHz速率的16位Sigma-Delta ADC,三个可编增益放大器和一个温度传感器和精密的电压源.


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

GD32L233系列MCU的最高主频为64MHz,集成了64KB到256KB的嵌入式eFlash和16KB到32KB的SRAM,以及连接到两条APB总线的各类增强型I/O和外设资源。

芯片持续采用行业领先的Arm® Cortex®-M23内核,通过精简强大的Armv8-M指令集和全面优化的总线设计带来高效处理能力,包含独立的乘法器和除法器,适用于低功耗,高效节能的深度嵌入式应用场景。

GD32L233系列MCU实现了优异的功耗效率,深度睡眠(Deep-sleep)电流降至2uA,唤醒时间低于10uS,待机(Standby)电流最低仅有0.4uA。

制造商:Texas Instruments产品种类:接口-信号缓冲器、中继器RoHS: 最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装 / 箱体:WQFN-38封装:Reel封装:Cut Tape商标:Texas Instruments湿度敏感性:Yes产品类型:Signal Buffers, Repeaters系列:3000子类别:Interface ICs单位重量:67 mg

所减少的元件数和器件内部的故障保险特性增加了整体可靠性.单芯片MCU系列不需要昂贵的用户多片AFE.作为基于闪存的MCU系统,同样的硬件可用在许多平台,其特性或国家间特有的改变仅用软件来实现.因为闪存是在系统可编程,能遥控电表升级.

为了提供最大可能的性能和简化系统设计,器件集成了嵌入信号处理器(ESP),很适合用作单相电表,加上以下的功能,可实现能量度量衡的功能:三个独立的工作在过取样1MHz速率的16位Sigma-Delta ADC,三个可编增益放大器和一个温度传感器和精密的电压源.


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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