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集成的高性能模拟前端(AFE)组合功耗效率和优化的处理性能

发布时间:2021/11/2 12:07:03 访问次数:446


基于Arm® Cortex®-M23内核MCU的最新成员,GD32L233系列主流型低功耗微控制器。GD32L233系列MCU以多种运行模式和休眠模式提供了优异的功耗效率和优化的处理性能。

与业界同类低功耗产品相比,具备更加丰富的外设资源和应用灵活性,从而为系统级能源效率的持续提升开辟道路,广泛适用于工业表计、小型消费电子设备、便携式医疗设备、电池管理系统、数据采集与传输等典型市场。

GD32L233产品组合提供了4种封装类型共10个型号选择,目前已经开始提供样片和开发板卡

制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:600 V Id-连续漏极电流:40 A Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:70 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 商标:STMicroelectronics 配置:Single 下降时间:9.8 ns 正向跨导 - 最小值:- 产品类型:MOSFET 上升时间:27 ns 工厂包装数量600 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 N-Channel 典型关闭延迟时间:131 ns 典型接通延迟时间:27 ns 单位重量:6 g


AFG1022X任意波形函数发生器提供25MHz带宽,2个输出通道,1uHz到25MHz输出频率。

它把工业标准的超低功耗闪存MCU和集成的高性能模拟前端(AFE)组合在单一芯片上.新的MSP430FE42x系列产品,和第一代解决方案相比之,降低了系统芯片总数量80%,改善了性能,增加了可靠性,同时降低了成本,加速产品走向市场.

MSP430FE42x具有全编程的通信能力,这种专用的MCU特别适合用在开发有专门特性的电子能源电表,如自动读表(AMR),预付费智能卡和多种比率的帐单.


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


基于Arm® Cortex®-M23内核MCU的最新成员,GD32L233系列主流型低功耗微控制器。GD32L233系列MCU以多种运行模式和休眠模式提供了优异的功耗效率和优化的处理性能。

与业界同类低功耗产品相比,具备更加丰富的外设资源和应用灵活性,从而为系统级能源效率的持续提升开辟道路,广泛适用于工业表计、小型消费电子设备、便携式医疗设备、电池管理系统、数据采集与传输等典型市场。

GD32L233产品组合提供了4种封装类型共10个型号选择,目前已经开始提供样片和开发板卡

制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:600 V Id-连续漏极电流:40 A Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:70 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 商标:STMicroelectronics 配置:Single 下降时间:9.8 ns 正向跨导 - 最小值:- 产品类型:MOSFET 上升时间:27 ns 工厂包装数量600 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 N-Channel 典型关闭延迟时间:131 ns 典型接通延迟时间:27 ns 单位重量:6 g


AFG1022X任意波形函数发生器提供25MHz带宽,2个输出通道,1uHz到25MHz输出频率。

它把工业标准的超低功耗闪存MCU和集成的高性能模拟前端(AFE)组合在单一芯片上.新的MSP430FE42x系列产品,和第一代解决方案相比之,降低了系统芯片总数量80%,改善了性能,增加了可靠性,同时降低了成本,加速产品走向市场.

MSP430FE42x具有全编程的通信能力,这种专用的MCU特别适合用在开发有专门特性的电子能源电表,如自动读表(AMR),预付费智能卡和多种比率的帐单.


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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