功率开关FDC6901L，集成了先进的Trench技术的P-MOSFET和转换速率控制IC。其结果是这种智能功率开关能提供优异的热性能和电性能，这样就不需要另外的封装和增加几个无源元件。

这种全集成的成本效率的解决方案能处理高达3A的电流。FDC6901L很适合用作手机，PDA或功率管理/安全应用的负载开关,例如DVD播放器，机顶盒和其它消费类电子产品。

FDC6901L先进的加电控制功能是基于采用小型IC来驱动集成P-MOSFET开关的独特的设计，有可编的恒流源。

改善功率效率的MOSFET TPC8017-H (15-A)和TPC8018-H (18-A)，它采用超高速度U-MOS III和铝丝键合，以改善导通电阻和栅极电荷。采用超声键合方法来代替焊接，器件的RDS(on)降低了34%，QSW降低了14%。

MOSFET TPC8017-H和TPC8018-H器件的指标包括有VDss为30V，Vgs=10V时的导通电阻分别为6.6和4.6 mW，在Vds=24V和Vgs=10V时的QSW分别为7.8 和12 nC。

新的MOSBD，由于消除了MOSFET和二极管间的外部连线，大大地降低了连线的电阻和电感。新器件也由于采用东芝的UMOS III工艺，能进一步改善性能。