意法半导体 800V STPOWER MDmesh K6系列， 为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的标杆。MDmesh K6 的RDS(on) x 面积参数在市场上现有800V产品中处于领先水平，能够实现紧凑的集高功率密度与市场领先的能效于一身新的新设计。

此外，K6 系列的阈压比上一代 MDmesh K5更低，可使用更低的电压驱动，从而降低功耗并提高能效，主要用于零功耗待机应用。总栅极电荷 (Qg) 也非常低，可以实现高开关速度和低损耗。

芯片上集成一个ESD保护二极管,将MOSFET的整体鲁棒性提高到人体模型 (HBM) 2 级。

制造商:Nexperia 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:360 mA Rds On-漏源导通电阻:1.6 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV Qg-栅极电荷:0.72 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:420 mW 通道模式:Enhancement 资格:AEC-Q101 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Nexperia 配置:Single 下降时间:4 ns 产品:MOSFET Small Signal 产品类型:MOSFET 上升时间:3 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 N-Channel Trench MOSFET 典型关闭延迟时间:9 ns 典型接通延迟时间:2 ns 零件号别名:934064988215 单位重量:8 mg

与传统解决方案相比，SCALE-2 ASIC技术显着减少了元件数量

提高了开关效率

退饱和检测和高级有源钳位(AAC)在短路期间提供安全关断

双面涂覆三防漆，可在典型的恶劣牵引环境中防止污染物

在原方与副方之间提供3300V加强绝缘

提供老化测试选项

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）