2到6个芯片的MCP，有NOR闪存，NAND闪存，SRAM，假SRAM(PSRAM)和低功耗SDRAM各种组合，以满足数码照相手机和丰富多彩特性的3G手机的复杂的存储器要求。

更宽的x16 NAND单芯片闪存的总线宽度加倍，和x8 NAND闪存相比，降低了数据传输所需要的时间近50%。为了满足OEM客户的要求，东芝提供低功耗SDRAM作为多种存储器MCP器件的一种选择。

这些手机对存储器的要求变得越来越复杂，因为在手机中增加了附加的特性和应用功能，如互联网浏览，文字信息，游戏和数字照相机功能。

制造商:ISSI产品种类:动态随机存取存储器RoHS: 详细信息类型:SDRAM安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-54数据总线宽度:16 bit组织:4 M x 16存储容量:64 Mbit最大时钟频率:143 MHz访问时间:5.4 ns电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:3 V电源电流—最大值:90 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:IS42S16400J封装:Tray商标:ISSI湿度敏感性:Yes产品类型:DRAM工厂包装数量:108子类别:Memory & Data Storage单位重量:7.711 g

紧凑型防水IPX8等级封装扩大了应用范围,BM1390GLV 利用了罗姆在MEMS,控制电路与防水技术的多种技术积累，以与传统紧凑型封装（2.0mm × 2.0mm × 1.0mm）相同的尺寸实现 IPX8 防水性能。

优越的温度特性和抗应力能力实现高精度气压测量，BM1390GLV采用独创的温度补偿功能和陶瓷材料封装，以实现优越的温度特性和抗应力。

即使在受温度变化和压力影响的环境中，也能实现高精度气压测量。第一款支持高达800MBps数据速率的双倍数据速率-II (DDR-II)锁相环(PLL)CDCU877。

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