基于Arm® Cortex®-M23内核MCU的最新成员，GD32L233系列主流型低功耗微控制器。GD32L233系列MCU以多种运行模式和休眠模式提供了优异的功耗效率和优化的处理性能。

与业界同类低功耗产品相比，具备更加丰富的外设资源和应用灵活性，从而为系统级能源效率的持续提升开辟道路，广泛适用于工业表计、小型消费电子设备、便携式医疗设备、电池管理系统、数据采集与传输等典型市场。

GD32L233产品组合提供了4种封装类型共10个型号选择，目前已经开始提供样片和开发板卡。

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 11 A

Rds On-漏源导通电阻: 478 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V

Qg-栅极电荷: 20 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 63 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: Infineon Technologies

下降时间: 10 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 6 ns

1000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 48 ns

典型接通延迟时间: 9 ns

零件号别名: IPB65R225C7 SP002447552

单位重量: 324 mg

REG710X不需要任何的电感，采用1MHz的开关频率，可以使用陶瓷电容而不必用昂贵的钽电容。该器件包括有超温和过流保护，自动限制浪涌电流，以保护系统和抑制电磁干扰，从而使设计简单化。

REG71055降压-升压转换器能从输入电压3.0V-5.5V维持固定输出电压5.5V，用来驱动白光LED。为了进一步节省能源和延长电池寿命，该器件的静态功耗典型值为65uA。

基于超低功耗工艺制程。GD32L233系列MCU采用了业界领先的40nm超低功耗(ULP)制造技术，低漏电物理单元从硬件层面降低功耗。