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高度小型化的晶圆级芯片级封装(WLCSP)标称电压3.6或3.7V

发布时间:2021/10/31 10:38:24 访问次数:351

nPM1100 PMIC集成电池充电器设计可用于为锂离子和锂聚合物电池充电,可选4.1或4.2 V终止电压,并且支持电池化学,标称电压分别为3.6 或 3.7 V。

该装置具有电池过热保护功能,并可自动选择三种充电模式:自动涓流充电、恒流和恒压充电。

用户可通过电阻器选择最大充电电流,范围为20 mA至400mA。该充电器还具有放电电流限制器,并且符合JEITA 标准。

这个高效降压稳压器可以在1.8、2.1、2.7或3.0 V的可选输出电压下提供高达150 mA电流。

制造商: onsemi

产品种类: 达林顿晶体管

配置: Single

晶体管极性: NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

集电极—基极电压 VCBO: 100 V

最大直流电集电极电流: 8 A

最大集电极截止电流: 10 uA

Pd-功率耗散: 20 W

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

系列: MJD122

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

集电极连续电流: 8 A

直流集电极/Base Gain hfe Min: 100, 1000

高度: 2.38 mm

长度: 6.73 mm

产品类型: Darlington Transistors

工厂包装数量: 2500

子类别: Transistors

宽度: 6.22 mm

单位重量: 500 mg

ST4SIM已通过 GSMA 认证,并在意法半导体欧洲和东南亚GSMA SAS-UP   认证工厂制造,采用行业标准的 MFF2 5mm x 6mm DFN8 Wettable Flank封装。

此外,这些 eSIM芯片允许客户根据 GSMA 规范对 SIM 配置文件进行远程管理,无需访问设备即可更改网络服务提供商。

ST4SI2M0020TPIFW 现已在意法半导体网上商城上架开售,其他类型封装客户可以订购,包括高度小型化的晶圆级芯片级封装 (WLCSP)。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


nPM1100 PMIC集成电池充电器设计可用于为锂离子和锂聚合物电池充电,可选4.1或4.2 V终止电压,并且支持电池化学,标称电压分别为3.6 或 3.7 V。

该装置具有电池过热保护功能,并可自动选择三种充电模式:自动涓流充电、恒流和恒压充电。

用户可通过电阻器选择最大充电电流,范围为20 mA至400mA。该充电器还具有放电电流限制器,并且符合JEITA 标准。

这个高效降压稳压器可以在1.8、2.1、2.7或3.0 V的可选输出电压下提供高达150 mA电流。

制造商: onsemi

产品种类: 达林顿晶体管

配置: Single

晶体管极性: NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

集电极—基极电压 VCBO: 100 V

最大直流电集电极电流: 8 A

最大集电极截止电流: 10 uA

Pd-功率耗散: 20 W

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

系列: MJD122

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

集电极连续电流: 8 A

直流集电极/Base Gain hfe Min: 100, 1000

高度: 2.38 mm

长度: 6.73 mm

产品类型: Darlington Transistors

工厂包装数量: 2500

子类别: Transistors

宽度: 6.22 mm

单位重量: 500 mg

ST4SIM已通过 GSMA 认证,并在意法半导体欧洲和东南亚GSMA SAS-UP   认证工厂制造,采用行业标准的 MFF2 5mm x 6mm DFN8 Wettable Flank封装。

此外,这些 eSIM芯片允许客户根据 GSMA 规范对 SIM 配置文件进行远程管理,无需访问设备即可更改网络服务提供商。

ST4SI2M0020TPIFW 现已在意法半导体网上商城上架开售,其他类型封装客户可以订购,包括高度小型化的晶圆级芯片级封装 (WLCSP)。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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