可配置双模降压稳压器和集成电池充电器的专用电源管理 IC (PMIC)，作为 Nordic 的 nRF52® 和 nRF53® 系列系统级芯片(SoC)的补充组件而设计，可确保供电可靠和运行稳定，同时通过高效率和低静态电流最大限度地延长电池使用寿命。

nPM1100还可以用作其他合适应用的通用 PMIC器件。它采用了极其紧凑的(2.075 x 2.075 mm) WLCSP封装，非常适合可穿戴设备、互联医疗设备、智能家居传感器和控制、遥控器和游戏控制器，以及其他尺寸受限的应用。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 70 A

Rds On-漏源导通电阻: 9.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 66 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 8 ns

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 8 ns

系列: XPB70N10

1000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 25 ns

典型接通延迟时间: 17 ns

宽度: 9.25 mm

零件号别名: IPB70N10S3-12 SP000261246

单位重量: 4 g

用于汽车高可靠性贴片磁珠MMZ1608-HE系列并已开始投入量产,其支持150℃环境下的高耐久性焊接。

该系列产品是业内首款*高可靠性贴片磁珠，专为汽车相关应用而设计，如发动机控制模块（ECM）、防抱死制动系统（ABS）、电动助力转向系统（EPS）、电动和混合动力汽车（EV/EHV）、逆变器和LED前大灯等。

四款产品在150℃下的额定电流最大值分别为200到300，直流电阻最大值分别为0.15到0.5，阻抗值分别为120到1000。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）