高性能电路的测试也表明,很平稳的晶体管参数能用在模拟和数字应用,有很低的噪音。

采用这种技术，研究人员演示了几种破记录的IC：110GHz+动态频率分频器，86GHz静态频率分频器和95GHz压控振荡器(VCO)以及77GHz汽车雷达收发器。其结果表明，SiGe双极工艺很适合各种高速模拟和数字方面的应用，如Gbps数据通信和宽带无线应用或微波产品。

SiGe工艺是一种证明成熟的有70GHz 的fT工艺，所生产的产品包括有RF晶体管，低噪音放大器和用于移动无线基站的单片微波集成电路。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 114 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 61 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 214 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 4 ns

正向跨导 - 最小值: 46 S

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 4 ns

系列: OptiMOS 5

1000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

宽度: 9.25 mm

零件号别名: IPB073N15N5 SP001180660

单位重量: 4 g

RA6E1产品群的关键特性

200MHz Arm Cortex-M33 CPU内核

支持从512KB到1MB多个闪存选项；内置256KB RAM

支持温度范围：Ta = -40~85°C

提供从48到100引脚的封装选项

高性能：3.95CoreMark/MHz（在闪存中执行CoreMark算法时）

集成以太网MAC

全速USB2.0、串行通信（可灵活配置成同步和异步模式的SCI、I2C、SPI）、CAN、SSI、SDHI、QSPI

集成瑞萨定时器

高级模拟功能

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）