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稳态最大电流4.6A的低损耗开关嵌入单周期8052闪存MCU

发布时间:2021/10/28 21:44:10 访问次数:188

AduC845的双Sigma-Delta ADC有一主一辅,24位分辨率,嵌入单周期8052闪存MCU。

ADC的吞吐量速率为1.3kHz(最大)。片上代码闪存/电擦除(EE)存储器允许在电路中进行重新编程,而单独的数据存储器则提供了非挥发的读/写区,以增加安全性。

这使得该产品能用在需要低漂移,抑制噪音和有最佳电磁干扰抑制的低方。

这种新器件还集成了温度传感器,12位电压输出的DAC,两个PWM输出,两个电流源以及UART,SPI和I2C通信接口。

制造商:NXP产品种类:加速计传感器类型:3-axis传感轴:X, Y, Z加速:2 g, 4 g, 8 g灵敏度:256 count/g, 512 count/g, 1024 count/g输出类型:Digital接口类型:I2C分辨率:8 bit, 12 bit电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:1.95 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-16封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:NXP Semiconductors 产品类型:Accelerometers 系列:MMA8452Q 工厂包装数量:1000 子类别:Sensors 商标名:Xtrinsic 零件号别名:935325497167 单位重量:130 mg

新器件的占位品质因素(FFOM)为80mWx2.25mm2=180,而标准的TSSOP-6的FFOM为80mWx9.0mm2=720,改善了75%。

FDZ228P由于能提供有稳态最大电流4.6A的低损耗开关,能降低系统的寄生漏电。

FDZ229P的封装高度最高为0.8mm,使该器件能装配成RF屏蔽,内部子系统和显示器。

该器件的导通电阻RDS(on)极低,VGS=-4.5V时为55毫欧姆,VGS=-2.5V为80毫欧姆,栅极电荷低,VGS =4.5V, Qg=9nC。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

AduC845的双Sigma-Delta ADC有一主一辅,24位分辨率,嵌入单周期8052闪存MCU。

ADC的吞吐量速率为1.3kHz(最大)。片上代码闪存/电擦除(EE)存储器允许在电路中进行重新编程,而单独的数据存储器则提供了非挥发的读/写区,以增加安全性。

这使得该产品能用在需要低漂移,抑制噪音和有最佳电磁干扰抑制的低方。

这种新器件还集成了温度传感器,12位电压输出的DAC,两个PWM输出,两个电流源以及UART,SPI和I2C通信接口。

制造商:NXP产品种类:加速计传感器类型:3-axis传感轴:X, Y, Z加速:2 g, 4 g, 8 g灵敏度:256 count/g, 512 count/g, 1024 count/g输出类型:Digital接口类型:I2C分辨率:8 bit, 12 bit电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:1.95 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-16封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:NXP Semiconductors 产品类型:Accelerometers 系列:MMA8452Q 工厂包装数量:1000 子类别:Sensors 商标名:Xtrinsic 零件号别名:935325497167 单位重量:130 mg

新器件的占位品质因素(FFOM)为80mWx2.25mm2=180,而标准的TSSOP-6的FFOM为80mWx9.0mm2=720,改善了75%。

FDZ228P由于能提供有稳态最大电流4.6A的低损耗开关,能降低系统的寄生漏电。

FDZ229P的封装高度最高为0.8mm,使该器件能装配成RF屏蔽,内部子系统和显示器。

该器件的导通电阻RDS(on)极低,VGS=-4.5V时为55毫欧姆,VGS=-2.5V为80毫欧姆,栅极电荷低,VGS =4.5V, Qg=9nC。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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