USB4TM超高速线路的插入损耗和回波损耗预算有限，所以Nexperia提供尽可能降低ESD保护对总预算影响的器件，希望为设计工程师提供支持。

通过提供这两种器件选型，工程师可以在ESD电压钳位（保护级别）和RF性能之间找到平衡。

PESD5V0R1BDSF针对低钳位进行了优化，并且能提供极低的插入损耗和回波损耗，在10 GHz时分别为‑0.28 dB和‑19 dB。另一方面，PESD5V0R1BCSF针对RF性能进行了优化，其插入损耗和回波损耗在10 GHz时分别为-0.25 dB和-19.4 dB。

RTAX-S器件提供固有的单事件闭锁(SEL)免疫性，大于37MeV-cm2/mg SEU的容量和总的离子剂量(TID)性能超过200 Krads。

器件还具有扰乱速率小于1E-10误差/位-天的具有误差检测和修正(EDAC)功能的嵌入RAM。

基于Actel的AX架构和可升级的平台，RTAX-S包括有几种先进的架构：嵌入FIFO控制器，能利用高逻辑模块的全断裂SuperCluster，能对器件提供严格时钟歪斜的核心片状结构和整个片上可用到八个全球时钟的灵活时钟结构，不再需要时钟平面布线，容易进行系统设计。