将前端EMI滤波器的面积和体积分别缩减近50%和75%以上
发布时间:2023/12/25 13:04:21 访问次数:15
在开关电源设计中，实现低EMI电源和小解决方案尺寸通常是相互矛盾的。
而LM25149-Q1和LM25149降压控制器支持工程师满足具有挑战性的EMI标准，并通过减小无源EMI滤波器的面积和体积来缩减解决方案尺寸。
与同类解决方案相比，在440kHz频率下，工程师最多可以将前端EMI滤波器的面积和体积分别缩减近50%和75%以上。通过减小无源元件的滤波负载，集成式AEF可减小无源元件的尺寸、体积和成本，从而使工程师实现尺寸更小的低EMI电源设计。
制造商:Texas Instruments产品种类:运算放大器 - 运放RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-5通道数量:1 Channel电源电压-最大:5.5 VGBP-增益带宽产品:1.5 MHz每个通道的输出电流:100 mASR - 转换速率 :420 mV/usVos - 输入偏置电压 :4 mV电源电压-最小:1.8 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 CIb - 输入偏流:35 nA工作电源电流:116 uA关闭:No ShutdownCMRR - 共模抑制比:86 dBen - 输入电压噪声密度:50 nV/sqrt Hz系列:封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Texas Instruments特点:Small Size高度:1.02 mmIn—输入噪声电流密度:0.07 pA/sqrt Hz输入类型:Rail-to-Rail长度:2.92 mm工作电源电压:3 V输出类型:Rail-to-Rail产品:Operational Amplifiers产品类型:Op Amps - Operational AmplifiersPSRR - 电源抑制比:70 dB3000子类别:Amplifier ICs电源类型:Single技术:BiCMOS电压增益 dB:113 dB宽度:1.6 mm单位重量:6.300 mg
通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。
新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平，可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型单体封装，10 V条件下最大导通电阻仅为17.3 mW /典型值为14.3 mW。
日前发布的汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %，比前代解决方案低31 %，占位面积减小50 %，有助于降低导通功耗，节省能源，同时增加功率密度提高输出。
在开关电源设计中，实现低EMI电源和小解决方案尺寸通常是相互矛盾的。
而LM25149-Q1和LM25149降压控制器支持工程师满足具有挑战性的EMI标准，并通过减小无源EMI滤波器的面积和体积来缩减解决方案尺寸。
与同类解决方案相比，在440kHz频率下，工程师最多可以将前端EMI滤波器的面积和体积分别缩减近50%和75%以上。通过减小无源元件的滤波负载，集成式AEF可减小无源元件的尺寸、体积和成本，从而使工程师实现尺寸更小的低EMI电源设计。
制造商:Texas Instruments产品种类:运算放大器 - 运放RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-5通道数量:1 Channel电源电压-最大:5.5 VGBP-增益带宽产品:1.5 MHz每个通道的输出电流:100 mASR - 转换速率 :420 mV/usVos - 输入偏置电压 :4 mV电源电压-最小:1.8 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 CIb - 输入偏流:35 nA工作电源电流:116 uA关闭:No ShutdownCMRR - 共模抑制比:86 dBen - 输入电压噪声密度:50 nV/sqrt Hz系列:封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Texas Instruments特点:Small Size高度:1.02 mmIn—输入噪声电流密度:0.07 pA/sqrt Hz输入类型:Rail-to-Rail长度:2.92 mm工作电源电压:3 V输出类型:Rail-to-Rail产品:Operational Amplifiers产品类型:Op Amps - Operational AmplifiersPSRR - 电源抑制比:70 dB3000子类别:Amplifier ICs电源类型:Single技术:BiCMOS电压增益 dB:113 dB宽度:1.6 mm单位重量:6.300 mg
通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。
新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平，可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型单体封装，10 V条件下最大导通电阻仅为17.3 mW /典型值为14.3 mW。
日前发布的汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %，比前代解决方案低31 %，占位面积减小50 %，有助于降低导通功耗，节省能源，同时增加功率密度提高输出。
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