可编DDR I/O组功能适合存储器技术所必需时钟和数据同步
发布时间:2021/10/24 23:10:21 访问次数:109
两种存储器接口解决方案都有Virtex-II和Virtex-II Pro FPGA的强大功能,能在构筑高速存储器接口设计中所需要的方框图中提供理想的平台。
诸如数字时钟管理(DCM),数字控制阻抗(DCI),片上支持HSTL,SSTL和可编 DDR I/O组的功能非常适合于最新一代存储器技术所必需的时钟和数据同步。
200MHz DDR SDRAM接口解决方案有自由合成参考设计,用32位总线得到数据速率400Mbps,在控制器总线上提供速率12.8Gbps的数据吞吐量。
AlInGaP器件可提供617nm红光,605nm橙光,588nm黄光,亮度从200到超过1250mcd,630nm红光的亮度从160到超过800mcd。
LED有120度的视角,热阻为400度K/W,工作温度从0度C到100度C。
B3292P/Q系列取得UL和EN认证,引线间距有15 mm、22.5 mm和 27.5 mm 共三种,根据容值的大小,可选择不同的引线间距。此外,电容的外壳和填充树脂满足UL94 V-0的阻燃等级要求。
B3292P/Q系列的典型应用是严苛工况和高工作温度条件下电磁干扰抑制.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
两种存储器接口解决方案都有Virtex-II和Virtex-II Pro FPGA的强大功能,能在构筑高速存储器接口设计中所需要的方框图中提供理想的平台。
诸如数字时钟管理(DCM),数字控制阻抗(DCI),片上支持HSTL,SSTL和可编 DDR I/O组的功能非常适合于最新一代存储器技术所必需的时钟和数据同步。
200MHz DDR SDRAM接口解决方案有自由合成参考设计,用32位总线得到数据速率400Mbps,在控制器总线上提供速率12.8Gbps的数据吞吐量。
AlInGaP器件可提供617nm红光,605nm橙光,588nm黄光,亮度从200到超过1250mcd,630nm红光的亮度从160到超过800mcd。
LED有120度的视角,热阻为400度K/W,工作温度从0度C到100度C。
B3292P/Q系列取得UL和EN认证,引线间距有15 mm、22.5 mm和 27.5 mm 共三种,根据容值的大小,可选择不同的引线间距。此外,电容的外壳和填充树脂满足UL94 V-0的阻燃等级要求。
B3292P/Q系列的典型应用是严苛工况和高工作温度条件下电磁干扰抑制.

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