在工作模式下能耗仅81uA/MHz软件待机电流仅200nA
发布时间:2021/10/23 8:47:55 访问次数:667
第一个4GB DDR SDRAM双列直插存储器模块(DIMM)，已经得到Intel公司注册认可。
工业标准4GB 184引脚PC1600和PC2100 DDR SDRAM DIMM是采用Micro公司的 1Gb DDR266 SDRAM芯片MT46V128M8，MT64V256M4或MT46V64M16，封装在符合JEDEC标准的400密尔宽的64引脚TSOP封装，间距0.65mm。
该芯片的工作电压为VDD = +2.5V ±0.2V, VDDQ = +2.5V ±0.2V，双向数据选通(DQS)发送/接收，内部管线式双数据速率(DDR)结构，每时钟周期有两个数据存取，差分时钟输入.
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 晶体管极性:PNP 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V 集电极—基极电压 VCBO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V 最大直流电集电极电流:6 A Pd-功率耗散:1250 mW 增益带宽产品fT:250 MHz 最大工作温度:+ 150 C 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:ROHM Semiconductor 直流集电极/Base Gain hfe Min:270 直流电流增益 hFE 最大值:270 at 500 mA, 2 V 高度:1.1 mm 长度:2.9 mm 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 工厂包装数量3000 子类别:Transistors 技术:Si 宽度:1.6 mm 零件号别名:QST2
满足可穿戴设备、医疗设备、家电和工业自动化等物联网终端应用需求，提供业界同类产品中较低运行功率；在工作模式下能耗仅81uA/MHz，软件待机电流仅200nA，并可快速唤醒。
新产品支持-40至125°C的极宽Ta温度范围，可适用于恶劣的物联网工作环境。
RA2E2 MCU支持I3C总线接口并集成了节约成本的外围功能，包括精度为+/-1%的片上振荡器、上电复位、低压检测器、EEPROM和温度传感器。
瑞萨RA产品家族现拥有超过160款型号，工作频率从48MHz到200MHz。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
第一个4GB DDR SDRAM双列直插存储器模块(DIMM)，已经得到Intel公司注册认可。
工业标准4GB 184引脚PC1600和PC2100 DDR SDRAM DIMM是采用Micro公司的 1Gb DDR266 SDRAM芯片MT46V128M8，MT64V256M4或MT46V64M16，封装在符合JEDEC标准的400密尔宽的64引脚TSOP封装，间距0.65mm。
该芯片的工作电压为VDD = +2.5V ±0.2V, VDDQ = +2.5V ±0.2V，双向数据选通(DQS)发送/接收，内部管线式双数据速率(DDR)结构，每时钟周期有两个数据存取，差分时钟输入.
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 晶体管极性:PNP 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V 集电极—基极电压 VCBO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V 最大直流电集电极电流:6 A Pd-功率耗散:1250 mW 增益带宽产品fT:250 MHz 最大工作温度:+ 150 C 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:ROHM Semiconductor 直流集电极/Base Gain hfe Min:270 直流电流增益 hFE 最大值:270 at 500 mA, 2 V 高度:1.1 mm 长度:2.9 mm 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 工厂包装数量3000 子类别:Transistors 技术:Si 宽度:1.6 mm 零件号别名:QST2
满足可穿戴设备、医疗设备、家电和工业自动化等物联网终端应用需求，提供业界同类产品中较低运行功率；在工作模式下能耗仅81uA/MHz，软件待机电流仅200nA，并可快速唤醒。
新产品支持-40至125°C的极宽Ta温度范围，可适用于恶劣的物联网工作环境。
RA2E2 MCU支持I3C总线接口并集成了节约成本的外围功能，包括精度为+/-1%的片上振荡器、上电复位、低压检测器、EEPROM和温度传感器。
瑞萨RA产品家族现拥有超过160款型号，工作频率从48MHz到200MHz。
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