1Gb DDR-I元件符合JEDEC PC2100的标准形状系数
发布时间:2021/10/22 23:28:12 访问次数:192
三款产品均支持Pin2Pin便捷升级通道,除可互相Pin2Pin外,更可与搭载思特威DSI-2技术的两款安防主流产品SC2336、SC3336以及未来思特威的安防应用新品实现Pin2Pin。
有效帮助客户简化应用设计,轻量化升级成本,打造以客户需求为核心的高品质服务。
同时,针对4MP产品的全面化升级,打造Pin2Pin让客户轻松实现产品性能跃升,更体现了思特威以客户利益至上的服务理念和进一步深耕安防应用市场的决心,力求为智能安防摄像机打造更高品质的多元化视频解决方案。
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-6 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:6.9 A Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压:4 V Qg-栅极电荷:12 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:2 W 通道模式:Enhancement 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Infineon / IR 配置:Single 高度:1.1 mm 长度:3 mm 产品类型:MOSFET 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:1.5 mm 零件号别名:IRLTS2242TRPBF SP001553280 单位重量:20 mg
256Mb降低等待时间的DRAM(DLDRAM),用于网络设备,支持数据速率10-40Gbps(OC-192 和OC-768),优化用于数据包缓冲,IP地址寻找和快速缓存的系统。
RLDRAM允许超快速的随机存取,行周期时间25ns,极大地降低了成本。
几个第三方公司为系统设计者提供RLDRAM的开发板解决方案如Avnet设计服务部的Avalon参考设计系统和Memec的参考板。
这种封装是1Gb DDR-I元件符合JEDEC PC2100的标准形状系数。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
三款产品均支持Pin2Pin便捷升级通道,除可互相Pin2Pin外,更可与搭载思特威DSI-2技术的两款安防主流产品SC2336、SC3336以及未来思特威的安防应用新品实现Pin2Pin。
有效帮助客户简化应用设计,轻量化升级成本,打造以客户需求为核心的高品质服务。
同时,针对4MP产品的全面化升级,打造Pin2Pin让客户轻松实现产品性能跃升,更体现了思特威以客户利益至上的服务理念和进一步深耕安防应用市场的决心,力求为智能安防摄像机打造更高品质的多元化视频解决方案。
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-6 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:6.9 A Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压:4 V Qg-栅极电荷:12 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:2 W 通道模式:Enhancement 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Infineon / IR 配置:Single 高度:1.1 mm 长度:3 mm 产品类型:MOSFET 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:1.5 mm 零件号别名:IRLTS2242TRPBF SP001553280 单位重量:20 mg
256Mb降低等待时间的DRAM(DLDRAM),用于网络设备,支持数据速率10-40Gbps(OC-192 和OC-768),优化用于数据包缓冲,IP地址寻找和快速缓存的系统。
RLDRAM允许超快速的随机存取,行周期时间25ns,极大地降低了成本。
几个第三方公司为系统设计者提供RLDRAM的开发板解决方案如Avnet设计服务部的Avalon参考设计系统和Memec的参考板。
这种封装是1Gb DDR-I元件符合JEDEC PC2100的标准形状系数。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)