移动应用和用户接口(MAUI)软件能加速手机交货UI参考设计
发布时间:2021/10/22 20:44:42 访问次数:753
GSM/GPRS蜂窝系统平台,内有用于建造更小更紧凑手机所需的硬件,软件和开发工具,所需的IC只有三种.移动应用和用户接口(MAUI)软件是能加速手机交货的UI参考设计。
设计者也能修改UI以创造自己的独特产品。此外,平台包括第三方应用软件如WAP浏览器,MMS客户,Java和带有预见性的文本输入。
通过向手机摄像头提供照度和环境光频闪信息,它可支持智能手机摄像头的快速自动曝光,并可消除环境照明频闪造成的波纹效果。

制造商: Texas Instruments
产品种类: 差分放大器
RoHS: 详细信息
系列: THS4561
通道数量: 1 Channel
GBP-增益带宽产品: 68 MHz
SR - 转换速率 : 325 V/μs
CMRR - 共模抑制比: 110 dB
Ib - 输入偏流: 370 nA
Vos - 输入偏置电压 : 250 uV
电源电压-最大: 12.6 V
电源电压-最小: 2.85 V
工作电源电流: 775 uA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFN-10
封装: Reel
封装: Cut Tape
0.1dB增益平坦度: 5 MHz
商标: Texas Instruments
开发套件: THS4561DGKEVM
en - 输入电压噪声密度: 4 nV/vHz
增益V/V: 1 V/V
In—输入噪声电流密度: 4 nV/v Hz
输入类型: Rail-to-Rail
Ios - 输入偏置电流 : 2 nA
湿度敏感性: Yes
输出类型: Rail-to-Rail
产品: Differential Amplifiers
产品类型: Differential Amplifiers
PSRR - 电源抑制比: 110 dB
稳定时间: 90 ns
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 3000
子类别: Amplifier ICs

1Gb单芯片NAND闪存芯片。两个2Gb的芯片封在单一的TSOP封装,便能生产出4Gb(512MB)的NAND元件。2Gb芯片是采用SanDisk的多级单元(MLC)和0.13um NAND闪存技术,由Toshiba 和SanDisk共同开发的。
新的1GB 单密度(SD)卡比前一代的产品多四倍。1GB SD卡能用来存储高达30小时的数字压缩音乐,超过320分钟的MPEG-4压缩视频或多于1000个高分辨率的数字图像。
该闪存卡有内置的内容保护权利管理功能,用于设备和卡之间的内容安全交换。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
GSM/GPRS蜂窝系统平台,内有用于建造更小更紧凑手机所需的硬件,软件和开发工具,所需的IC只有三种.移动应用和用户接口(MAUI)软件是能加速手机交货的UI参考设计。
设计者也能修改UI以创造自己的独特产品。此外,平台包括第三方应用软件如WAP浏览器,MMS客户,Java和带有预见性的文本输入。
通过向手机摄像头提供照度和环境光频闪信息,它可支持智能手机摄像头的快速自动曝光,并可消除环境照明频闪造成的波纹效果。

制造商: Texas Instruments
产品种类: 差分放大器
RoHS: 详细信息
系列: THS4561
通道数量: 1 Channel
GBP-增益带宽产品: 68 MHz
SR - 转换速率 : 325 V/μs
CMRR - 共模抑制比: 110 dB
Ib - 输入偏流: 370 nA
Vos - 输入偏置电压 : 250 uV
电源电压-最大: 12.6 V
电源电压-最小: 2.85 V
工作电源电流: 775 uA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFN-10
封装: Reel
封装: Cut Tape
0.1dB增益平坦度: 5 MHz
商标: Texas Instruments
开发套件: THS4561DGKEVM
en - 输入电压噪声密度: 4 nV/vHz
增益V/V: 1 V/V
In—输入噪声电流密度: 4 nV/v Hz
输入类型: Rail-to-Rail
Ios - 输入偏置电流 : 2 nA
湿度敏感性: Yes
输出类型: Rail-to-Rail
产品: Differential Amplifiers
产品类型: Differential Amplifiers
PSRR - 电源抑制比: 110 dB
稳定时间: 90 ns
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 3000
子类别: Amplifier ICs

1Gb单芯片NAND闪存芯片。两个2Gb的芯片封在单一的TSOP封装,便能生产出4Gb(512MB)的NAND元件。2Gb芯片是采用SanDisk的多级单元(MLC)和0.13um NAND闪存技术,由Toshiba 和SanDisk共同开发的。
新的1GB 单密度(SD)卡比前一代的产品多四倍。1GB SD卡能用来存储高达30小时的数字压缩音乐,超过320分钟的MPEG-4压缩视频或多于1000个高分辨率的数字图像。
该闪存卡有内置的内容保护权利管理功能,用于设备和卡之间的内容安全交换。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)