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​移动应用和用户接口(MAUI)软件能加速手机交货UI参考设计

发布时间:2021/10/22 20:44:42 访问次数:737

GSM/GPRS蜂窝系统平台,内有用于建造更小更紧凑手机所需的硬件,软件和开发工具,所需的IC只有三种.移动应用和用户接口(MAUI)软件是能加速手机交货的UI参考设计。

设计者也能修改UI以创造自己的独特产品。此外,平台包括第三方应用软件如WAP浏览器,MMS客户,Java和带有预见性的文本输入。

通过向手机摄像头提供照度和环境光频闪信息,它可支持智能手机摄像头的快速自动曝光,并可消除环境照明频闪造成的波纹效果。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 差分放大器

RoHS: 详细信息

系列: THS4561

通道数量: 1 Channel

GBP-增益带宽产品: 68 MHz

SR - 转换速率 : 325 V/μs

CMRR - 共模抑制比: 110 dB

Ib - 输入偏流: 370 nA

Vos - 输入偏置电压 : 250 uV

电源电压-最大: 12.6 V

电源电压-最小: 2.85 V

工作电源电流: 775 uA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: QFN-10

封装: Reel

封装: Cut Tape

0.1dB增益平坦度: 5 MHz

商标: Texas Instruments

开发套件: THS4561DGKEVM

en - 输入电压噪声密度: 4 nV/vHz

增益V/V: 1 V/V

In—输入噪声电流密度: 4 nV/v Hz

输入类型: Rail-to-Rail

Ios - 输入偏置电流 : 2 nA

湿度敏感性: Yes

输出类型: Rail-to-Rail

产品: Differential Amplifiers

产品类型: Differential Amplifiers

PSRR - 电源抑制比: 110 dB

稳定时间: 90 ns

关闭: Shutdown

工厂包装数量: 3000

子类别: Amplifier ICs

1Gb单芯片NAND闪存芯片。两个2Gb的芯片封在单一的TSOP封装,便能生产出4Gb(512MB)的NAND元件。2Gb芯片是采用SanDisk的多级单元(MLC)和0.13um NAND闪存技术,由Toshiba 和SanDisk共同开发的。

新的1GB 单密度(SD)卡比前一代的产品多四倍。1GB SD卡能用来存储高达30小时的数字压缩音乐,超过320分钟的MPEG-4压缩视频或多于1000个高分辨率的数字图像。

该闪存卡有内置的内容保护权利管理功能,用于设备和卡之间的内容安全交换。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

GSM/GPRS蜂窝系统平台,内有用于建造更小更紧凑手机所需的硬件,软件和开发工具,所需的IC只有三种.移动应用和用户接口(MAUI)软件是能加速手机交货的UI参考设计。

设计者也能修改UI以创造自己的独特产品。此外,平台包括第三方应用软件如WAP浏览器,MMS客户,Java和带有预见性的文本输入。

通过向手机摄像头提供照度和环境光频闪信息,它可支持智能手机摄像头的快速自动曝光,并可消除环境照明频闪造成的波纹效果。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 差分放大器

RoHS: 详细信息

系列: THS4561

通道数量: 1 Channel

GBP-增益带宽产品: 68 MHz

SR - 转换速率 : 325 V/μs

CMRR - 共模抑制比: 110 dB

Ib - 输入偏流: 370 nA

Vos - 输入偏置电压 : 250 uV

电源电压-最大: 12.6 V

电源电压-最小: 2.85 V

工作电源电流: 775 uA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: QFN-10

封装: Reel

封装: Cut Tape

0.1dB增益平坦度: 5 MHz

商标: Texas Instruments

开发套件: THS4561DGKEVM

en - 输入电压噪声密度: 4 nV/vHz

增益V/V: 1 V/V

In—输入噪声电流密度: 4 nV/v Hz

输入类型: Rail-to-Rail

Ios - 输入偏置电流 : 2 nA

湿度敏感性: Yes

输出类型: Rail-to-Rail

产品: Differential Amplifiers

产品类型: Differential Amplifiers

PSRR - 电源抑制比: 110 dB

稳定时间: 90 ns

关闭: Shutdown

工厂包装数量: 3000

子类别: Amplifier ICs

1Gb单芯片NAND闪存芯片。两个2Gb的芯片封在单一的TSOP封装,便能生产出4Gb(512MB)的NAND元件。2Gb芯片是采用SanDisk的多级单元(MLC)和0.13um NAND闪存技术,由Toshiba 和SanDisk共同开发的。

新的1GB 单密度(SD)卡比前一代的产品多四倍。1GB SD卡能用来存储高达30小时的数字压缩音乐,超过320分钟的MPEG-4压缩视频或多于1000个高分辨率的数字图像。

该闪存卡有内置的内容保护权利管理功能,用于设备和卡之间的内容安全交换。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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