24VDC和48VDC额定单输出电压标准电压可编程设定额定电压105%
发布时间:2021/10/21 23:18:34 访问次数:207
电流输出可编程设定为额定值的110%。如果存在主电源，则另一个5V/2A备用电源始终接通。
该产品符合工业、ITE和医疗用途的各种EMC和安规标准，简化了与终端应用程序的集成。具体而言，HPA1K5符合EMC辐射的EN55011/EN55032安规标准，EMC抗扰度的EN61000-4-x标准，现场安全的IEC62368-1第2版标准。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-26-6 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:3.1 A Rds On-漏源导通电阻:225 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压:700 mV Qg-栅极电荷:3 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.1 W 通道模式:Enhancement 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Diodes Incorporated 配置:Single 下降时间:5.21 ns 高度:1.3 mm 长度:3.1 mm 产品:MOSFET Small Signal 产品类型:MOSFET 上升时间:5.21 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 N-Channel 类型:MOSFET 典型关闭延迟时间:7.47 ns 典型接通延迟时间:2.49 ns 宽度:1.8 mm 单位重量:15 mg
每个都有给LNB加电的13V或18V DC输出电压。也能对电缆长度进行电压补偿。此外，内部的22kHz音调发生器能对LNB加电和天线控制提供不应求DiSEqC 1.1编码的功能。
根据要求也能对辐射的数据包括TID，SEE，中子和瞬时剂量进行测量。
ISL6405有两种封装：28引脚EPSOIC和32焊垫的QFN封装，每通道提供750mA输出电流，效率超过92%，而且不需要热沉。
标准的抗辐射高可靠DC/DC转换器M3L28系列,满足航天事业缩短设计周期,降低设计分析成本的要求。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
电流输出可编程设定为额定值的110%。如果存在主电源，则另一个5V/2A备用电源始终接通。
该产品符合工业、ITE和医疗用途的各种EMC和安规标准，简化了与终端应用程序的集成。具体而言，HPA1K5符合EMC辐射的EN55011/EN55032安规标准，EMC抗扰度的EN61000-4-x标准，现场安全的IEC62368-1第2版标准。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-26-6 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:3.1 A Rds On-漏源导通电阻:225 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压:700 mV Qg-栅极电荷:3 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.1 W 通道模式:Enhancement 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Diodes Incorporated 配置:Single 下降时间:5.21 ns 高度:1.3 mm 长度:3.1 mm 产品:MOSFET Small Signal 产品类型:MOSFET 上升时间:5.21 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 N-Channel 类型:MOSFET 典型关闭延迟时间:7.47 ns 典型接通延迟时间:2.49 ns 宽度:1.8 mm 单位重量:15 mg
每个都有给LNB加电的13V或18V DC输出电压。也能对电缆长度进行电压补偿。此外，内部的22kHz音调发生器能对LNB加电和天线控制提供不应求DiSEqC 1.1编码的功能。
根据要求也能对辐射的数据包括TID，SEE，中子和瞬时剂量进行测量。
ISL6405有两种封装：28引脚EPSOIC和32焊垫的QFN封装，每通道提供750mA输出电流，效率超过92%，而且不需要热沉。
标准的抗辐射高可靠DC/DC转换器M3L28系列,满足航天事业缩短设计周期,降低设计分析成本的要求。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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