一种移动DiskOnChip G3 512Mb闪存盘，它采用0.13um多级单元(MLC）NAND技术，在单一NAND存储单元中能存储两位信息。

内置的2KB XIP引导区使它能完全替代NOR闪存。其它特性包括有突发模式读速度高达80MBps。

由于采用先进的内置控制器和独特的闪存媒体结构，移动DiskOnChip G3有增强的性能和无可匹敌的可靠性。该器件采用EDC/ECC和TrueFFS技术，以改善数据完整性。安全特性包括有16B独特的ID号和6KB OTP区域，以缩短用户和产品特别信息。

二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件和氮化镓场效应晶体管（GaN FET）以及模拟和逻辑IC。产品质量上乘，在效率、工艺、尺寸、功率和性能方面已被公认为行业标杆，同时拥有业界领先的小型封装，可有效节省功耗及空间。

其封装尺寸为85引脚的7x10x1.2mm FBGA，是业界最小的高容量非易失的存储器，能存储数据和代码，内部总线32位，支持DMA(64KB)和多突发式存取时间25ns(80MB/s)，NOR类接口，容易使用，内核工作电压3.3V,1.8V I/O，深降功耗(DPD）模式功耗仅10uA.

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