可控硅(SCR)中噪音(dV/dt)免疫性和功率消耗间传统折衷问题
发布时间:2021/10/19 12:55:54 访问次数:139
STIL02-P5和STIL04-P5限流器设计成满足这些要求。每种产品在单一封装内都集成了两种单向开关。该器件能克服可控硅(SCR)中噪音(dV/dt)免疫性和功率消耗间的传统的折衷问题。
STIL器件的优点包括低功耗的Ipt为20mA，在结温为150度有大于500V/μs的高免疫性(dV/dt)。该器件还有低的反向电流损耗和功率开关的驱动器。
STIL作为AC整流桥设计的部件，它结合了二极管和SCR，形成半控制整流桥(HCRB)。这种电路使用较高的效率和集成度来限制浪涌电流成为可能。
3D霍尔效应位置传感器。借助TMAG5170，工程师能够在高达20 kSPS的速度下无需校准即可实现超高精度，从而在工厂自动化和电机驱动应用中进行更快速、更精确的实时控制。
传感器也提供集成的功能和诊断特性，可更大程度地提高设计灵活性和系统安全性，同时功耗比同类器件至少低70%。TMAG5170是TI全新3D霍尔效应位置传感器系列中的第一款器件，可满足包括超高性能应用和通用应用在内的各种工业需求。
因此，工程师能够定制芯片和系统级的安全方案，实现长期可靠性和更低的设计成本。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
STIL02-P5和STIL04-P5限流器设计成满足这些要求。每种产品在单一封装内都集成了两种单向开关。该器件能克服可控硅(SCR)中噪音(dV/dt)免疫性和功率消耗间的传统的折衷问题。
STIL器件的优点包括低功耗的Ipt为20mA，在结温为150度有大于500V/μs的高免疫性(dV/dt)。该器件还有低的反向电流损耗和功率开关的驱动器。
STIL作为AC整流桥设计的部件，它结合了二极管和SCR，形成半控制整流桥(HCRB)。这种电路使用较高的效率和集成度来限制浪涌电流成为可能。
3D霍尔效应位置传感器。借助TMAG5170，工程师能够在高达20 kSPS的速度下无需校准即可实现超高精度，从而在工厂自动化和电机驱动应用中进行更快速、更精确的实时控制。
传感器也提供集成的功能和诊断特性，可更大程度地提高设计灵活性和系统安全性，同时功耗比同类器件至少低70%。TMAG5170是TI全新3D霍尔效应位置传感器系列中的第一款器件，可满足包括超高性能应用和通用应用在内的各种工业需求。
因此，工程师能够定制芯片和系统级的安全方案，实现长期可靠性和更低的设计成本。
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