尺寸小巧5G25具有0.35mm信号间距匹配载体高度0.6mm
发布时间:2021/10/18 23:57:40 访问次数:193
最低噪音的高频硅锗(SiGe)RF晶体管，它的噪音和昂贵得多的GaAs 晶体管差不多。
东芝这种SiGe器件，噪音为0.52dB，采用价格上有竞争力的硅衬底实现GaAs晶体管一样的噪音性能，而价格只有GaAs的一半。
东芝第二代SiGe晶体管增益高而噪音低,也有两种型号:最佳的低噪音或最佳的高增益。
该器件还有的优点是封在东芝的TESQ封装，这是业界最小的4引脚封装：1.2x1.2x0.52mm，比目前的4引脚封装小35%。
制造商:United Chemi-Con (UCC)产品种类:铝质电解电容器-SMDRoHS: 封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel系列:产品:Aluminum Electrolytic Capacitors电容:220 uF电压额定值 DC:63 VDC容差:20 %ESR:-最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C直径:12.5 mm长度:13.5 mm宽度:13 mm高度:13 mm寿命:2000 Hour纹波电流:470 mA资格:AEC-Q200商标:United Chemi-Con 漏泄电流:- 产品类型:Electrolytic Capacitors 250 子类别:Capacitors 端接类型:SMD/SMT 商标名: 类型:SMD Aluminum Electrolytic Capacitors 单位重量:3.698 g
尺寸小巧的5G25具有0.35mm的信号间距，匹配的载体高度仅为0.6mm，载体宽度仅为2.5mm，长度为3.6mm，为升级的印刷电路板(PWB)提供了设计灵活性。
此外，通过使用5G25连接器，RF天线和移动设备设计工程师能将RF和非RF信号整合，从而减少连接器数量，不仅节约设计空间，也节省了成本。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
最低噪音的高频硅锗(SiGe)RF晶体管，它的噪音和昂贵得多的GaAs 晶体管差不多。
东芝这种SiGe器件，噪音为0.52dB，采用价格上有竞争力的硅衬底实现GaAs晶体管一样的噪音性能，而价格只有GaAs的一半。
东芝第二代SiGe晶体管增益高而噪音低,也有两种型号:最佳的低噪音或最佳的高增益。
该器件还有的优点是封在东芝的TESQ封装，这是业界最小的4引脚封装：1.2x1.2x0.52mm，比目前的4引脚封装小35%。
制造商:United Chemi-Con (UCC)产品种类:铝质电解电容器-SMDRoHS: 封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel系列:产品:Aluminum Electrolytic Capacitors电容:220 uF电压额定值 DC:63 VDC容差:20 %ESR:-最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C直径:12.5 mm长度:13.5 mm宽度:13 mm高度:13 mm寿命:2000 Hour纹波电流:470 mA资格:AEC-Q200商标:United Chemi-Con 漏泄电流:- 产品类型:Electrolytic Capacitors 250 子类别:Capacitors 端接类型:SMD/SMT 商标名: 类型:SMD Aluminum Electrolytic Capacitors 单位重量:3.698 g
尺寸小巧的5G25具有0.35mm的信号间距，匹配的载体高度仅为0.6mm，载体宽度仅为2.5mm，长度为3.6mm，为升级的印刷电路板(PWB)提供了设计灵活性。
此外，通过使用5G25连接器，RF天线和移动设备设计工程师能将RF和非RF信号整合，从而减少连接器数量，不仅节约设计空间，也节省了成本。
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