高性能 SSOP封装的20V和40V MOSFET继电器G3VM-21LR-LR1和 G3VM-41LR3-LR4，尺寸为4.2 x 2.04 x 1.8 mm (L x W x H)，和较大体积的继电器有相同的功能，而节省体积67%，目标应用在PCB光板测试和ATA市场以及消费类电子产品。

它的指标包括有输入输出间绝缘电压1500VAC，接通电阻在1-35欧姆之间，负载接通电流能力在80-300mA，取决于不同的型号。

新型SSOP继电器非常适用在板的空间受限制和高密度单刀常开(SPNO)开关的地方。

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 26 A

Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 36 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 95 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 14 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 81 ns

典型接通延迟时间: 21 ns

零件号别名: IPB60R120P7 SP001664922

单位重量: 4 g

ICM-110T是单片数字彩色图像器件，2048X1536(3,145,728像素)传感器阵列，采用1/4和1/16亚取样分辨率，工作高达12帧/秒或更高的帧速率。

采用0.25微米工艺，ICM-110T能和ICM108B 130万象素以及ICM109T 200万象素CMOS传感器在引脚上兼容，使用户能在单一的设计上板设计生产多种图像产品。

应用包括板/功能PCB测试设备以及ATE产品。OEM应用包括有以电池为能源的消费类电子产品如游戏机，通信设备和人体保健医疗设备。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）