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SE2522BL在相邻功率比(ACPR)-30dBc时23dBm线性输出功率

发布时间:2021/10/15 18:22:12 访问次数:103

功率放大器SE2522BL,有高输出功率和功率控制特性,提升802.11bWLAN兼容设备的发送范围和效率。

SE2522BL在相邻功率比(ACPR)为-30dBc时有23dBm线性输出功率,在天线处能达到20dBm。这使它很适合用在诸如工作在2.4GHz频段的无线接入点和PCMCIA卡。

SE2522BL功放和SE2522L在引脚上是兼容的,使用户有同样的布局而满足有多种应用的需求。

用SE2522BL设计的系统能有更长的发射距离,而同样的布局也使SE2522BL应用在不需要最大输出功率的以电池为能源的设备。

制造商:Texas Instruments产品种类:低压差稳压器RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-6输出电压:3.3 V输出电流:400 mA输出端数量:1 Output极性:Positive最大输入电压:5.5 V最小输入电压:1.7 V输出类型:Fixed最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C回动电压:75 mV系列:TPS73633封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Texas Instruments开发套件:TPS73633EVM-066回动电压—最大值:200 mV at 400 mA高度:1.6 mmIb - 输入偏流:300 uA长度:6.5 mm线路调整率:0.01 %/V负载调节:0.002 %/mA湿度敏感性:Yes工作温度范围:- 4Pd-功率耗散:2.22 W产品类型:LDO Voltage Regulators工厂包装数量:2500子类别:PMIC - Power Management ICs电压调节准确度:0.5 %宽度:3.5 mm单位重量:120 mg

电容范围从100uF 到330uF,电压范围4V到10V。最大的ESR从80到45毫欧姆,取决于电压。它们采用该公司的互补硅双极工艺,产品的相位噪音在10KHz失调时为40dBc/Hz。

采用MLC技术,NEC宣称已能增加存储器容量,而存储器单元的尺寸却减小一半。每个芯片有更多的存储,设计者由于在每个设计中采用较少的芯片而维持低成本。

过去,基于MLC技术的闪存速度比非MLC器件慢。为解决这个问题,NEC公司采用读电路设计,以允许NOR型闪存在读周期中以更快的读取速度来运行。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

功率放大器SE2522BL,有高输出功率和功率控制特性,提升802.11bWLAN兼容设备的发送范围和效率。

SE2522BL在相邻功率比(ACPR)为-30dBc时有23dBm线性输出功率,在天线处能达到20dBm。这使它很适合用在诸如工作在2.4GHz频段的无线接入点和PCMCIA卡。

SE2522BL功放和SE2522L在引脚上是兼容的,使用户有同样的布局而满足有多种应用的需求。

用SE2522BL设计的系统能有更长的发射距离,而同样的布局也使SE2522BL应用在不需要最大输出功率的以电池为能源的设备。

制造商:Texas Instruments产品种类:低压差稳压器RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-6输出电压:3.3 V输出电流:400 mA输出端数量:1 Output极性:Positive最大输入电压:5.5 V最小输入电压:1.7 V输出类型:Fixed最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C回动电压:75 mV系列:TPS73633封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Texas Instruments开发套件:TPS73633EVM-066回动电压—最大值:200 mV at 400 mA高度:1.6 mmIb - 输入偏流:300 uA长度:6.5 mm线路调整率:0.01 %/V负载调节:0.002 %/mA湿度敏感性:Yes工作温度范围:- 4Pd-功率耗散:2.22 W产品类型:LDO Voltage Regulators工厂包装数量:2500子类别:PMIC - Power Management ICs电压调节准确度:0.5 %宽度:3.5 mm单位重量:120 mg

电容范围从100uF 到330uF,电压范围4V到10V。最大的ESR从80到45毫欧姆,取决于电压。它们采用该公司的互补硅双极工艺,产品的相位噪音在10KHz失调时为40dBc/Hz。

采用MLC技术,NEC宣称已能增加存储器容量,而存储器单元的尺寸却减小一半。每个芯片有更多的存储,设计者由于在每个设计中采用较少的芯片而维持低成本。

过去,基于MLC技术的闪存速度比非MLC器件慢。为解决这个问题,NEC公司采用读电路设计,以允许NOR型闪存在读周期中以更快的读取速度来运行。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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