GaAs FET和MMIC固定增益模块提供低噪声系数和中等输出功率
发布时间:2021/10/15 13:06:11 访问次数:113
新型可变增益放大器,旨在满足仪器仪表,传感器,雷达,无线通信,自动增益控制环路等应用的需求。
设计者在使用可变增益放大器时，能够通过控制直流电压来改变宽带增益响应的水平，并为需要高动态范围的信号链提供卓越的性能。
Pasternack 12款新型可变增益放大器可在整个频带内提供20dB（典型值）的连续可变增益控制，从而为设计者提供更大的动态范围和设置信号水平的能力。
这些新设计结合使用GaAs FET和MMIC固定增益模块，可在整个频带提供低噪声系数和中等输出功率。
制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:92 A Rds On-漏源导通电阻:59 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V Qg-栅极电荷:67 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:80 W 通道模式:Enhancement 商标名:PowerTrench 封装:Tube 配置:Single 高度:16.3 mm 长度:10.67 mm 系列:FDP8896 晶体管类型:1 N-Channel 类型:MOSFET 宽度:4.7 mm 商标:ON Semiconductor / Fairchild 下降时间:44 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:103 ns 工厂包装数量:800 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:56 ns 典型接通延迟时间:9 ns 零件号别名:FDP8896_NL 单位重量:2 g
此外，紧凑集成装配设计减少了组件数量，降低了系统复杂性。
而FQ-10E 10Gbps的光信号为1,400 ps/nm，它的光学带宽为>/= 0.2 nm，通道带宽(-1 dB)为: >/= 0.3 nm，群时延波纹最大为+/- 6 ps，插入损耗最大为4dB，极化模式色散最大为0.5ps，功耗为3W。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
新型可变增益放大器,旨在满足仪器仪表,传感器,雷达,无线通信,自动增益控制环路等应用的需求。
设计者在使用可变增益放大器时，能够通过控制直流电压来改变宽带增益响应的水平，并为需要高动态范围的信号链提供卓越的性能。
Pasternack 12款新型可变增益放大器可在整个频带内提供20dB（典型值）的连续可变增益控制，从而为设计者提供更大的动态范围和设置信号水平的能力。
这些新设计结合使用GaAs FET和MMIC固定增益模块，可在整个频带提供低噪声系数和中等输出功率。
制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:92 A Rds On-漏源导通电阻:59 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V Qg-栅极电荷:67 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:80 W 通道模式:Enhancement 商标名:PowerTrench 封装:Tube 配置:Single 高度:16.3 mm 长度:10.67 mm 系列:FDP8896 晶体管类型:1 N-Channel 类型:MOSFET 宽度:4.7 mm 商标:ON Semiconductor / Fairchild 下降时间:44 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:103 ns 工厂包装数量:800 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:56 ns 典型接通延迟时间:9 ns 零件号别名:FDP8896_NL 单位重量:2 g
此外，紧凑集成装配设计减少了组件数量，降低了系统复杂性。
而FQ-10E 10Gbps的光信号为1,400 ps/nm，它的光学带宽为>/= 0.2 nm，通道带宽(-1 dB)为: >/= 0.3 nm，群时延波纹最大为+/- 6 ps，插入损耗最大为4dB，极化模式色散最大为0.5ps，功耗为3W。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-8集成SOC 驱动芯片 GD30DRE508 系列
- 5-8ARM Cortex-M7 600MHz 内核GD3
- 5-8存储、MCU 及模拟芯片应用前景分析
- 5-8高倍率磷酸铁锂电池技术发展趋势
- 5-8模块化多电平架构（MMC）应用参数配置
- 5-8构网型变流器核心技术及应用探究
- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
公网安备44030402000607
