ESD保护反平行的集电极源二极管和三端双向可控硅开关元件
发布时间:2021/10/15 12:25:03 访问次数:254
为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术，意法半导体发布了MasterGaN3*和 MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达 45W 和 150W的功率变换应用。
连同面向 65W 至 400W 应用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4，这两款新产品为设计开关式电源、充电器、适配器、高压功率因数校正 (PFC) 和 DC/DC 变换器的工程师选择合适的氮化镓 (GaN) 器件和驱动解决方案提供了更多的灵活性。
意法半导体的 MasterGaN 概念简化了GaN 宽禁带功率技术替代普通硅基MOSFET的发展进程。
由于集成了ESD保护，反平行的集电极源二极管和三端双向可控硅开关元件，VK05CFL节省了成本，空间和设计时间。
因为VK05CFL的工作频率由外接电容来确定，不需要可饱和的变压器。
此外，点火频率，因为由负载决定，独立于工作频率。用外接几个低压元件还能增加预热功能。由于在预热电路中不需要用正温度系数的电阻或高压电容，VK05CFL增加了系统的稳定性。
这款IPM 具有出色并且简单易用的控制系统，其中低边发射极的引脚可用于相电流监控。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术，意法半导体发布了MasterGaN3*和 MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达 45W 和 150W的功率变换应用。
连同面向 65W 至 400W 应用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4，这两款新产品为设计开关式电源、充电器、适配器、高压功率因数校正 (PFC) 和 DC/DC 变换器的工程师选择合适的氮化镓 (GaN) 器件和驱动解决方案提供了更多的灵活性。
意法半导体的 MasterGaN 概念简化了GaN 宽禁带功率技术替代普通硅基MOSFET的发展进程。
由于集成了ESD保护，反平行的集电极源二极管和三端双向可控硅开关元件，VK05CFL节省了成本，空间和设计时间。
因为VK05CFL的工作频率由外接电容来确定，不需要可饱和的变压器。
此外，点火频率，因为由负载决定，独立于工作频率。用外接几个低压元件还能增加预热功能。由于在预热电路中不需要用正温度系数的电阻或高压电容，VK05CFL增加了系统的稳定性。
这款IPM 具有出色并且简单易用的控制系统，其中低边发射极的引脚可用于相电流监控。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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