单电源有高噪音HBT和双电源PHEMT及GaAs HFET(异质结构FET)
发布时间:2021/10/13 20:59:31 访问次数:1234
每种IC有电源,地和重置输出引脚.当出现瞬态，电压起伏，短路状态或其它电源问题，输出重置信号。
BD48XXG和BD49XXG CMOS 重置IC能以CMOS或N-MOS漏极开路输出和从-0.3V到10V间的电源供电。它的功耗额定值为100mW，工作温度从-40 到85oC。
阻值范围包括有50M, 75M, 100M, 150M和200 M欧姆,额定电压为5KV(50M和75M),10KV(100M和150M)和15KV(150M和200M)，误差为0.1%。电压系数也非常低。
直经为0.350英吋，高度有1.25,2.0和3.0英吋三种规格。
单电源工作的E-pHEMT器件的唯一供应商。Agilent公司的新型E-pHENT器件具有单电源工作，高电源效率和超常的RF性能，是替代单电源有高噪音的HBT和双电源PHEMT以及GaAs HFET(异质结构FET)器件的理想选择。
ATF-511P8 E-pHEMT FET封装在2.0x2.0x0.75mm紧凑的8引脚工业标准的无引线塑料芯片承载JEDEC DRP-N LPCC封装里。
FET有很高的可靠性,装备上温度为85度C的预测的单点MTTF(平均失效时间)超过300年。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
每种IC有电源,地和重置输出引脚.当出现瞬态，电压起伏，短路状态或其它电源问题，输出重置信号。
BD48XXG和BD49XXG CMOS 重置IC能以CMOS或N-MOS漏极开路输出和从-0.3V到10V间的电源供电。它的功耗额定值为100mW，工作温度从-40 到85oC。
阻值范围包括有50M, 75M, 100M, 150M和200 M欧姆,额定电压为5KV(50M和75M),10KV(100M和150M)和15KV(150M和200M)，误差为0.1%。电压系数也非常低。
直经为0.350英吋，高度有1.25,2.0和3.0英吋三种规格。
单电源工作的E-pHEMT器件的唯一供应商。Agilent公司的新型E-pHENT器件具有单电源工作，高电源效率和超常的RF性能，是替代单电源有高噪音的HBT和双电源PHEMT以及GaAs HFET(异质结构FET)器件的理想选择。
ATF-511P8 E-pHEMT FET封装在2.0x2.0x0.75mm紧凑的8引脚工业标准的无引线塑料芯片承载JEDEC DRP-N LPCC封装里。
FET有很高的可靠性,装备上温度为85度C的预测的单点MTTF(平均失效时间)超过300年。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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