AD9821仅消耗150mW，使手提设备的电池寿命更长。

驱动器内置完备的安全保护功能，其中，高低边驱动欠压锁定 (UVLO)可以防止功率开关管在低效率或危险工况下运行.

EVSTDRIVEG600DM开发板配备一个STL33N60DM2 内置快速恢复二极管的MDmesh 115mΩ 600V硅基MOSFET功率开关.

晶体管采用带有Kelvin驱动源引脚的8mm x 8mm PowerFLAT封装或者 DPAK 封装。

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 900 V

Id-连续漏极电流: 15 A

Rds On-漏源导通电阻: 280 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 94 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 208 W

通道模式: Enhancement

商标名: CoolMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: CoolMOS C3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 25 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 20 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 400 ns

典型接通延迟时间: 70 ns

零件号别名: IPB9R34C3XT SP000944226 IPB90R340C3ATMA1

单位重量: 4 g

PT6714是TI在整合式电源模块PT6715之后推出的最新成员。该系列可从5V或3.3V输入总线，提供高达13A的1V 至3.3V的输出电压，且输出电压非常稳定，可调整范围为+5%/-30%。

与其它分立组件不同的是，PT6714是已通过完整测试和认证的解决方案。

另外，它还可实现垂直安装，非常节省空间。工程师在同样大小的空间内，为系统增加更多功能。

该模块有表面贴装、垂直通孔和水平通孔(2.58"x 1.025"x 0.5")三种封装，ExcaliburTM铜外壳可直接焊至电路板，提供更强的抗振动能力，减小电磁干扰。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）