RDS(on)×COSS(tr)这一FoM则在软开关应用中至关重要，如果将UnitedSiC额定电压为750V的器件与竞争对手额定电压为650V的器件相比，前者的这个值比后者低约30%。

对于硬开关应用，SiC FET的集成体二极管在恢复速度和正向压降方面优于竞争对手的Si MOSFET或SiC MOSFET技术。

第4代技术中所包含的其他优势，则是通过先进的晶圆减薄技术和银烧结贴片工艺降低了从裸片到外壳的热阻。这些特性可在要求苛刻的应用中实现最大功率输出，同时实现低芯片温升。

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: HSOF-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 23 A

Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 150 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 390 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: Reel

配置: Single

晶体管类型: 1 N-Channel

商标: Infineon Technologies

下降时间: 9 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4 ns

工厂包装数量: 2000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 150 ns

典型接通延迟时间: 30 ns

零件号别名: IPT60R022S7 SP003330410

单位重量: 771.020 mg

小尺寸SMT同轴连接器MCX E型，它是小型（LP）卡边缘连接器，支持回流焊，在PC板上方仅高出2.7mm ,在PC板下方仅有1.06mm。

它是最小可用的MCX型同轴连接器。它能在18GHz下提供50-W的性能。

这种连接器在插槽内有小的突出部分，能插进板上的焊盘孔，在回流焊过程中连接器锁住在板上，不用粘合剂，同时也降低了焊点应力。

该连接器有阴阳两种类型，接触面镀金。也可由用户来选择镀层金属。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）