Ic电流在3A到4.5A之间线和负载调整分别为0.06%和0.025%
发布时间:2021/10/11 23:35:22 访问次数:446
晶体管/肖特基二极管组合封装器件ZX3CD和ZXMxS系列，有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP双极管不同版本，封装尺寸为3x2x0.9mm，比通常的SM8封装小88%。
双极器件的指标包括有Ic电流在3A到4.5A之间，1A时的饱和压降VCE(sat)在140和20mV之间和饱和电阻RCE(sat) 在47 和104 mW,额定电压有12，20和40V三种。
MOSFET的指标包括有漏极电流Id在0.3-2A之间，导通电阻RDS(on) 在180 和900 mW之间, 漏源击穿电压BVDSS 在0 和40 V之间。
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSOF-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 75 A
Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 123 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 391 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
配置: Single
商标: Infineon Technologies
下降时间: 2.8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
单位重量: 771.020 mg
价格低于$20的高压应用的DC/DC转换器SIP90，输出电压从低于10V到90V，输出电流高达1mA。很适合用在雪崩光电二极管偏压中，它的占位面积仅为29.2x4.06mm,高度为13.97mm。
转换器的输入电压从2.7V 到6.7V，可编程电压从0V到4.5V。
它的波纹电压小于2 mVp-p，线和负载调整分别为0.06% 和0.025%。温度系数低于200ppm/度。加电后输出功率变化每小时小于0.01%。显在可提供产品。
该器件的封装进一步降低了热阻，使PC板面积上电流处理能力增加了三倍。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
晶体管/肖特基二极管组合封装器件ZX3CD和ZXMxS系列，有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP双极管不同版本，封装尺寸为3x2x0.9mm，比通常的SM8封装小88%。
双极器件的指标包括有Ic电流在3A到4.5A之间，1A时的饱和压降VCE(sat)在140和20mV之间和饱和电阻RCE(sat) 在47 和104 mW,额定电压有12，20和40V三种。
MOSFET的指标包括有漏极电流Id在0.3-2A之间，导通电阻RDS(on) 在180 和900 mW之间, 漏源击穿电压BVDSS 在0 和40 V之间。
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSOF-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 75 A
Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 123 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 391 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
配置: Single
商标: Infineon Technologies
下降时间: 2.8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
单位重量: 771.020 mg
价格低于$20的高压应用的DC/DC转换器SIP90，输出电压从低于10V到90V，输出电流高达1mA。很适合用在雪崩光电二极管偏压中，它的占位面积仅为29.2x4.06mm,高度为13.97mm。
转换器的输入电压从2.7V 到6.7V，可编程电压从0V到4.5V。
它的波纹电压小于2 mVp-p，线和负载调整分别为0.06% 和0.025%。温度系数低于200ppm/度。加电后输出功率变化每小时小于0.01%。显在可提供产品。
该器件的封装进一步降低了热阻，使PC板面积上电流处理能力增加了三倍。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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