FM24CL04的快速读和写能也节省FRAM用户的装配时间和成本
发布时间:2021/10/11 12:43:22 访问次数:96
球间距为0.8mm，和四片装的MCP一样大，而存储容两却增加了20%。
MCP分成四片上装和两片下装。上装有128Mb NOR双运作的闪存，64Mb NOR双运作闪存，64Mb移动FCRAM和好2Mb移动FCRAM。
封装分成两个独立的数据总线，这样数据和程序能同时处理，大大地降低了处理时间。
下装有32Mb NOR 双运作闪存和8Mb低功耗SRAM。总线宽度为16位，工作电压为2.85V ± 0.15V，工作温度为-26度C到85度C。MCPMCP有10万次`擦除/写入。
FM24CL04的快速读和写能也节省FRAM用户的装配时间和成本。
该器件能在2.7-3.3V下工作，在0.5ms内编程，而EEPROM则需要0.5s。它不需要延时，在标准总线的写入速度达1MHz，而EEPROM的写入时延就要10ms。
和EEPROM的100万次写入周期相比，8引脚OIC封装则有无限次写入周期，工作温度在0-85度C其数据可保存10年。
另外，在混合信号应用中，这款继电器的线圈功率较低，因此可降低开关产生的热电势电压。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
球间距为0.8mm，和四片装的MCP一样大，而存储容两却增加了20%。
MCP分成四片上装和两片下装。上装有128Mb NOR双运作的闪存，64Mb NOR双运作闪存，64Mb移动FCRAM和好2Mb移动FCRAM。
封装分成两个独立的数据总线，这样数据和程序能同时处理，大大地降低了处理时间。
下装有32Mb NOR 双运作闪存和8Mb低功耗SRAM。总线宽度为16位，工作电压为2.85V ± 0.15V，工作温度为-26度C到85度C。MCPMCP有10万次`擦除/写入。
FM24CL04的快速读和写能也节省FRAM用户的装配时间和成本。
该器件能在2.7-3.3V下工作，在0.5ms内编程，而EEPROM则需要0.5s。它不需要延时，在标准总线的写入速度达1MHz，而EEPROM的写入时延就要10ms。
和EEPROM的100万次写入周期相比，8引脚OIC封装则有无限次写入周期，工作温度在0-85度C其数据可保存10年。
另外，在混合信号应用中，这款继电器的线圈功率较低，因此可降低开关产生的热电势电压。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
- 5-6集成 MPPT 算法 DC-DC 芯片产品应用概述
- 5-6PMU 芯片、AI 电源管理芯片优特点及用途分析
- 5-6单芯片高像素CIS架构3,200 万像素图像传感器
- 5-6UFS主控芯片WM7000系列应用详情
- 5-6模拟芯片与互联芯片市场布局走势及应用前景探究
- 5-6存储芯片市场布局驱动芯片与智能卡芯片产品发展趋势分析
公网安备44030402000607
