IBM开发的晶体管将会使通信芯片进行快速负载接通
发布时间:2021/10/11 12:17:09 访问次数:96
速度为350GHz的锗硅晶体管。这种新型晶体管的性能比现有的产品高近300%,比先前报道过的硅晶体管快65%。手指甲大小的微芯片能有几百万个晶体管。
IBM开发的晶体管将会使通信芯片在大约两年内速度高于150GHz。该晶体管也期望能大大地降低通信系统和其它电子产品的功耗和成本。
IBM将会在2002年十二月9-11日的国际电子器件会议详细描述该晶体管的技术,论文题目为"SiGe HBT截止频率接近300GHz。
制造商:Micro Commercial Components (MCC) 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:18 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA-2 Pd-功率耗散:5 W 电压容差:5 % 电压温度系数:- 齐纳电流:0.5 uA Zz - 齐纳阻抗:2.5 Ohms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 配置:Single 测试电流:65 mA 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:2.41 mm 长度:4.75 mm 宽度:3.94 mm 商标:Micro Commercial Components (MCC) Ir - 反向电流 :0.5 uA 产品类型:Zener Diodes 工厂包装数量3000 子类别:Diodes & Rectifiers Vf - 正向电压:1.2 V 单位重量:93 mg
高压光隔离MOSFET栅极驱动器,该驱动器不需要外部电源设备,但可以在几十微秒量级进行快速负载接通。观看视频。
CPC1596 570V光隔离负载偏压栅极驱动器 非常适合广泛的电力电子应用,包括:
工业控制
自动测试设备(ATE)
HVAC控制
医疗器械
物联网
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
速度为350GHz的锗硅晶体管。这种新型晶体管的性能比现有的产品高近300%,比先前报道过的硅晶体管快65%。手指甲大小的微芯片能有几百万个晶体管。
IBM开发的晶体管将会使通信芯片在大约两年内速度高于150GHz。该晶体管也期望能大大地降低通信系统和其它电子产品的功耗和成本。
IBM将会在2002年十二月9-11日的国际电子器件会议详细描述该晶体管的技术,论文题目为"SiGe HBT截止频率接近300GHz。
制造商:Micro Commercial Components (MCC) 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:18 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA-2 Pd-功率耗散:5 W 电压容差:5 % 电压温度系数:- 齐纳电流:0.5 uA Zz - 齐纳阻抗:2.5 Ohms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 配置:Single 测试电流:65 mA 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:2.41 mm 长度:4.75 mm 宽度:3.94 mm 商标:Micro Commercial Components (MCC) Ir - 反向电流 :0.5 uA 产品类型:Zener Diodes 工厂包装数量3000 子类别:Diodes & Rectifiers Vf - 正向电压:1.2 V 单位重量:93 mg
高压光隔离MOSFET栅极驱动器,该驱动器不需要外部电源设备,但可以在几十微秒量级进行快速负载接通。观看视频。
CPC1596 570V光隔离负载偏压栅极驱动器 非常适合广泛的电力电子应用,包括:
工业控制
自动测试设备(ATE)
HVAC控制
医疗器械
物联网
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