FRAM测试芯片是用标准的130nm铜连接工艺制造，仅增加两道掩模工序。

电极化的方向有内部电路的高或低逻辑状态确定。每个方向都是稳定的，电场除去后依然保持不变，从而在存储器中保存了数据而不会发生周期性刷新。

在90nm工艺，FRAM单元更小，仅为0.35平方微米。FRAM结合了易挥发的DRAM的快速存取和低功耗的特点，能够在停电时保存数据。其它非挥发的存储器如EEPROM和闪存则更贵，因为需要更多的掩模工序，更长的写入时间和更多的写入功率。

制造商:Texas Instruments产品种类:以太网 ICRoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:VQFN-48产品:Ethernet PHYs标准:10/1GBASE-T, 100BASE-TX收发器数量:1 Transceiver数据速率:10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s接口类型:RGMII, SGMII工作电源电压:1 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 70 C系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel商标:Texas Instruments电源电流—最大值:137 mA双工:Full Duplex, Half Duplex湿度敏感性:Yes产品类型:Ethernet ICs250子类别:Communication & Networking ICs电源电压-最大:3.45 V电源电压-最小:950 mV单位重量:119.800 mg

对于数据中心和高性能计算（HPC）应用，为了减少分配电流和功率损耗，业界正在朝远离12V而采用48V配电的趋势发展。

为了满足这种不断增长的需求，英飞凌ZSC技术可为使用48V中间总线电压的应用提供最高的效率与功率密度。

这归功于电容能量传输以及功率MOSFET软开关技术的采用，因此其可以显著降低总体拥有成本（TCO），以简单而又低风险的方式，实现从传统12V系统向48V总线的转变。

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